Новые кинетические явления в полупроводниковых электронных системах низкой размерности Хаецкий, Александр Васильевич

Короткий опис

Хаецкий, Александр Васильевич.
Новые кинетические явления в полупроводниковых электронных системах низкой размерности : диссертация ... доктора физико-математических наук : 01.04.07. - Черноголовка, 2000. - 232 с. : ил.
Оглавление диссертациидоктор физико-математических наук Хаецкий, Александр Васильевич
Введение б
1 АНОМАЛЬНОЕ ТУННЕЛИРОВАНИЕ ЭЛЕКТРОНА В МАГНИТНОМ
ПОЛЕ ВБЛИЗИ ПОВЕРХНОСТИ
1.1 Введение
1.2 Пленка с параболическим потенциалом.
1.3 Асимптотика волновой функции примеси, расположенной вблизи границы кристалла.
1.4 Примесный центр в пленке.
1.5 Интерпретация с помощью фейнмановского интеграла по траекториям
1.6 Влияние поверхности на прыжковую проводимость в магнитном поле
2 ТУННЕЛИРОВАНИЕ В МАГНИТНОМ ПОЛЕ С УЧАСТИЕМ ФО-НОНА: ПРИЛОЖЕНИЕ К ПРЫЖКОВОЙ ПРОВОДИМОСТИ, ТУН
НЕЛЬНОМУ КОНТАКТУ И КВАНТОВОМУ ЭФФЕКТУ ХОЛЛА
2.1 Введение.
2.2 Вероятность одиночного прыжка между локализованными состояниями.
2.3 Влияние фононов на величину проводимости элемента сетки сопротивлений Миллера-Абрахамса в 2Б системах в поперечном магнитном поле.
2.4 Туннельный переход в поперечном магнитном поле.
2.4.1 Зависимость упругого кондактанса от толщины прослойки.
2.4.2 Кондактанс и вольт-амперная характеристика при подбарьерном рассеянии на фононах.
2.4.3 Нелинейный дифференциальный кондактанс при Т = 0.
2.4.4 Температурная зависимость линейного кондактанса.
2.4.5 Нелинейный кондактанс при конечной температуре.
2.5 Переходы с участием фононов между краевыми состояниями в двумерных баллистических структурах.
3 СПИНОВАЯ РЕЛАКСАЦИЯ В МЕЗОСКОПИЧЕСКИХ ЭЛЕКТРОННЫХ СИСТЕМАХ
3.1 Спиновая релаксация в полупроводниковых квантовых точках.
3.1.1 Переходы между различными орбитальными состояниями с переворотом спина.
3.1.2 Переходы с переворотом спина между зеемановскими подуровнями.
3.2 Спиновая релаксация в режиме квантового эффекта Холла.
3.2.1 Переходы между спиново-расщепленными краевыми каналами в режиме квантового эффекта Холла (фактор заполнения 2).
3.2.2 Влияние кулоновского взаимодействия на спиновую релаксацию вблизи фактора заполнения 1 (замечание).
4 ВЛИЯНИЕ КУЛОНОВСКИХ КОРРЕЛЯЦИЙ НА КИНЕТИЧЕСКИЕ ЯВЛЕНИЯ В НИЗКОРАЗМЕРНЫХ СИСТЕМАХ В КЛАССИЧЕСКОМ МАГНИТНОМ ПОЛЕ
4.1 Анизотропия нулевых дуффузионных аномалий для различных ориентаций внешнего магнитного поля.
4.1.1 Введение.
4.1.2 Формализм.
4.1.3 Вычисление действия 3(ш).
4.1.4 Нелинейный дифференциальный кондактанс.
4.2 Кулоновское увлечение в промежуточных магнитных полях.
4.2.1 Введение.
4.2.2 Метод
4.2.3 Поляризационная функция и магнетоплазмоны.
4.2.4 Магнетоплазмонный вклад.
4.2.5 Резонансное туннелирование магнетоплазмонов.
4.2.6 Результаты: высокие температуры.
4.2.7 Результаты для низких температур.
5 КИНЕТИЧЕСКИЕ ЯВЛЕНИЯ И ЭФФЕКТЫ СВЯЗАННЫЕ С КУЛО-НОВСКИМИ КОРРЕЛЯЦИЯМИ В РЕЖИМЕ КВАНТОВОГО ЭФФЕКТА ХОЛЛА
5.1 Квантовый фазовый переход в скирмионной решетке (фактор заполнения 1).
5.1.1 Введение
5.1.2 Основное состояние скирмионной решетки.
5.1.3 Квантовый фазовый переход
5.2 Вигнеровская молекула на вершине квантового дота (фактор заполнения 1). 142 5.2.1 Ультрамедленная динамика, связанная с образованием молекулы
5.3 Геометрический эффект композитных фермионов (фактор заполнения 1/2).
6 ЭФФЕКТ ХОЛЛА И МАГНЕТОСОПРОТИВЛЕНИЕ ДВУМЕРНОГО ЭЛЕКТРОННОГО ГАЗА ПРИ РАССЕЯНИИ НА МИКРОНЕОДНО-РОДНОСТЯХ МАГНИТНОГО ПОЛЯ
6.1 Введение
6.2 Одноквантовый вихрь (7 = 1/2).
6.3 Многоквантовый вихрь (7 > 1).
7 НОВЫЕ РАЗМЕРНЫЕ ЭФФЕКТЫ В ПРОВОДИМОСТИ НЕКОТОРЫХ ЭЛЕКТРОННЫХ СИСТЕМ
7.1 Нелинейная квантовая проводимость микросужения.
7.2 Классический размерный эффект в электропроводности полупроводников с вырожденной валентной зоной типа GaAs при зеркальном рассеянии.
7.2.1 Введение
7.2.2 Общее выражение для электропроводности пластины
7.2.3 Статическая электропроводность.
7.2.4 Переменное электрическое поле. Вещественная часть электропроводности
7.3 Осцилляции поперечного магнетосопротивления микроконтакта