Параметрические акустоэлектронные явления в кристаллах, помещенных в переменное электрическое поле Чернозатонский, Л.А.

Короткий опис

Чернозатонский, Л.А.
Параметрические акустоэлектронные явления в кристаллах, помещенных в переменное электрическое поле : диссертация ... доктора физико-математических наук : 01.04.06. - Москва, 1984. - 266 с. : ил.
Оглавление диссертациидоктор физико-математических наук Чернозатонский, Л.А.
ВВЕДЕНИЕ
1. ВОЗДЕЙСТВИЕ ПЕРЕМЕННОГО ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛЯ НА РАСПРОСТРАНЕНИЕ АКУСТИЧЕСКОЙ ВОЛНЫ В ПОЛУПРОВОДНИКЕ
1.1. Физическая картина распространения акустических волн в полупроводнике с переменным электрическим полем
1.2. "Гигантские" осцилляции поглощения и скорости звука, двунаправленное усиление звука переменным дрейфом носителей заряда
1.3. Звуковая неустойчивость в скрещенных магнитном и высокочастотном электрическом полях
1.3.а. Основные уравнения
1.3.6. Слабые магнитные поля
1.3.в. Сильные магнитные поля
1.3.г. Параметрический акустоциклотронный резонанс
1.4. Параметрический акустоплазменный резонанс
1.5. Изменение акустических свойств полупроводника в низкочастотном электрическом поле
1.6. Выводы
2. ВЛИЯНИЕ ПЕРЕМЕННОГО ДРЕЙФА НОСИТЕЛЕЙ НА РАСПРОСТРАНЕНИЕ ПОВЕРХНОСТНОЙ АКУСТИЧЕСКОЙ ВОЛНЫ В СЛОИСТОЙ СТРУКТУРЕ
2.1. Основные уравнения
2.2. Усиление ПАВ переменным дрейфом носителей
2.3. Усиление ПАВ в волноводной структуре
2.4. Низкочастотная модуляция ПАВ
2.5. Параметрическая трансформация поверхностных и объемных волн на границе нестационарной среды
2.6. Особенности акустоэлектрического эффекта в присутствии переменного дрейфа носителей заряда
2.6.1. Основные уравнения
2.6.2. Продольный акустоэлектрический эффект
2.6.3. Поперечный акустоэлектрдоеский эффект
2.7. Выводы
3. ПАРАМЕТРИЧЕСКИЙ АКУСТИЧЕСКИЙ РЕЗОНАНС В ПОЛУПРОВОДНИКАХ
3.1. Динамические уравнения для параметрические связанных волн
3.2. Неустойчивость при слабой связи двух мод спектра колебаний в диссипативной системе
3.3. Неустойчивости в области параметрического акустического резонанса
3.4. Звуковые неустойчивости при наличии многочастотного электрического поля
3.5. Новый класс электроакустического эха в полупроводниках
3.6. Динамическое ЭА эхо в кристаллах
3.7. Особенности обращения фронта ПАВ переменным электрическим полем в структуре пьезоэлектрик-полупроводник
3.8. Выводы
4. НЕЛИНЕЙНОЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛН ЧЕРЕЗ ВОЛНЫ ЭЛЕКТРОННОЙ ПЛОТНОСТИ, ВОЗБУЖДЕННЫЕ ПЕРЕМЕННЫМ ЭЛЕКТРИЧЕСКИМ ПОЛЕМ
4.1. Динамические уравнения для акустических волн, участвующих в нелинейном параметрическом взаимодействии
4.2. Аномальная генерация акустических гармоник в условиях параметрического звукового резонанса
4.3. Обращение акустического фронта на гармониках - "нелинейное" акустоэлектрическое эхо
4.4. Веерная параметрическая генерация акустических волн
4.5. Эффекты по наблюдению сильной звуковой волны в пьезо-полупроводнике
4.6. Вынужденное рассеяние ультразвука и его "запоминание" в полупроводниках
4.7. Выводы . I
5. ПАРАШТИЧЕСКИЕ АКУСТИЧЕСКИЕ ЭФФЕКТЫ В ПЕРИОДИЧЕСКИХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУРАХ
5.1. Синхронная генерация коротких гиперзвуковых импульсов в периодической акустоэлектронной структуре
5.2. Отражение ПАВ от резонансной полупроводниковой структуры
5.3. Параметрические преобразования ПАВ и новые типы сверток акустических и электрических сигналов в ППС
5.4. Эффективная параметрическая генерация акустических волн в периодической структуре
5.5. Формирование волнового фронта ПАВ двумерно-периодическими структурами
5.6. Выводы
6. ВЛИЯНИЕ АНИЗОТРОПИИ КРИСТАЛЛОВ НА АКУСТОЭЛЕКТРОННЫЕ ЭФФЕКТЫ
6.1. Анизотропия констант пьезосвязи и "чистое" усиление акустических волн в полупроводниковой пластине
6.2. Эффективность параметрического взаимодействия волн различной поляризации
6.3. Групповая скорость звука и эффект фононного концентрирования в кристаллах. Максимальное концентрирование поверхностных фононов .'
6.4. Изменение концентрирования фононов при внешних воздействия:?:
6.5. Эффект "коллинеарного" отражения и абсолютная неустойчивость залертого в пластине полупроводника пакета ко. сых акустических волн
6.6. Акустоэлектронный механизм направленности стримерного пробоя кристаллов
6.7. Выводы