Подрешеточные модели в теории роста многокомпонентных кристаллов Козеёвска, Анна Степановна

Короткий опис

Козеёвска, Анна Степановна.Подрешеточные модели в теории роста многокомпонентных кристаллов : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.07. - Рига, 1984. - 141 с. : ил.

Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Козеёвска, Анна Степановна
Введение.
Глава I. Дискретное моделирование фазовых превращений в кристаллическое состояние.
1.1. Решеточные модели в теории кристаллизации.
1.2. Морфология границы раздела фаз.
1.3. Механизмы роста кристаллов.
1.4. Теоретические аспекты роста многокомпонентных кристаллов.
Глава П. Кинетика роста из раствора и расплава -упорядочивающихся бинарных кристаллов.
2.1. Описание модели.
2.2. Расчет модельной системы.
2.3. Рост кристаллов типа ваЛв из расплава.
Глава Ш. Некоторые свойства решений кинетических моделей
Изинга.
3.1. Формулировка модели.
3.2. Зависимость дальнего порядка в открытой системе от граничных условий.
3.3. Зависимость дальнего порядка в открытой системе от теплоты смешения.
3.4. Критические индексы в модели.
3.5. Ближний порядок в открытой системе. Модель с одной решеткой, двухчастичная аппроксимация функции распределения.
Глава 1У. Влияние диффузии в расплаве на кинетику кристаллизации бинарных сплавов.
4.1. Кинетика роста кристаллов Si-Ce из идеального расплава.
4.2. Влияние ближнего порядка в расплаве на кинетику роста бинарных кристаллов.
4.3. Кинетика формирования дальнего и ближнего порядков в кристалле в процессе роста.