Каталог / ТЕХНІЧНІ НАУКИ / Системи автоматизації проектувальних робіт
скачать файл: ![](/design/img/wordl.gif)
- Назва:
- Попов Дмитрий Александрович Приборно-технологическое моделирование субмикронных МОП-транзисторов со структурой кремний на изоляторе с учетом температурных и радиационных эффектов
- Альтернативное название:
- Попов Дмитро Олександрович Приладно-технологічне моделювання субмікронних МОП-транзисторів зі структурою кремній на ізоляторі з урахуванням температурних та радіаційних ефектів
- ВНЗ:
- Высшая Школа Экономики
- Короткий опис:
- Попов Дмитрий Александрович Приборно-технологическое моделирование субмикронных МОП-транзисторов со структурой кремний на изоляторе с учетом температурных и радиационных эффектов
ОГЛАВЛЕНИЕ ДИССЕРТАЦИИ
кандидат наук Попов Дмитрий Александрович
Введение
Глава 1 Анализ проблемы TCAD моделирования субмикронных МОПТ структур с учетом радиационных и температурных эффектов
1.1 Состояние работ в области TCAD моделирования с учетом радиационных и
температурных эффектов
1.2 Методологические аспекты TCAD моделирования МОПТ структур с учетом
влияния радиации и температуры
1.3 Оценка радиационной и температурной стойкости перспективных конструктивно-
технологических разновидностей субмикронных МОП КНИ структур
1.4 Выводы по главе
Глава 2 TCAD-модель субмикронных и глубоко субмикронных МОПТ структур, учитывающая радиационные эффекты обусловленные воздействием гамма лучей, нейтронов и протонов
2.1 Учет влияния нейтронного и протонного излучения в МОП-структурах
2.2 Квази-трехмерная модель для расчета тока утечки в структурах КНИ МОПТ
2.3 Выводы по главе
Глава 3 TCAD модель субмикронных МОПТ с учетом эффектов
саморазогрева и высоких и низких внешних температур
3.1 TCAD модель субмикронных МОПТ с учетом статического и динамического
эффекта саморазогрева
3.2 Модель сдвига порогового напряжения МОПТ, обусловленного совместным
влиянием внешней температуры и гамма излучения
3.3 Выводы по главе
Глава 4 TCAD-моделирование конструктивно-технологических
разновидностей субмикронных КНИ МОПТ структур
4.1 Моделирование характеристик субмикронных МОПТ с асимметричным
легированием канала
4.2 Моделирование характеристик субмикронных КНИ МОПТ структур с различной
конфигурацией скрытого оксида
4.3 Выводы по главе
Глава 5 TCAD моделирование нанометровых МОПТ с high-k
диэлектриком затвора
5.1 Физическая модель электро-физических эффектов в МОПТ структурах с high-k
диэлектриком
5.2 Моделирование статических характеристик нанометровых high-k МОПТ
5.3 TCAD модель МОПТ с high-k диэлектриком затвора, учитывающая воздействие
ионизирующего излучения
5.4 Выводы по главе
Глава 6 Применение разработанной библиотеки моделей в практике проектирования элементной базы радиационной и температурной стойких СБИС и БИС со структурой КНИ
6.1 Моделирование субмикронных КНИ МОПТ с учетом нейтронного воздействия
6.2 Оценка сбоеустойчивости ячеек КМОП СОЗУ на основе 0,24 мкм МОПТ КНИ
структур с одно- и двухслойным скрытым диэлектриком с учетом воздействия гамма излучения
6.3 Прогнозное моделирование ВАХ субмикронных КНИ МОПТ, изготовленных по
отечественным КМОП технологиям с учетом саморазогрева и
высокотемпературных эффектов
6.4 Моделирование КНС МОП-транзисторов на основе отечественной технологии
6.5 Выводы по главе
Заключение
Перечень сокращений
Список использованной литературы
Приложение
Приложение
Приложение
Введение
- Стоимость доставки:
- 230.00 руб