Распад электронных возбуждений в ЩГК с гомологической примесью Малышев, Анатолий Александрович

Короткий опис

Малышев, Анатолий Александрович.
Распад электронных возбуждений в ЩГК с гомологической примесью : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.07. - Томск, 1984. - 188 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Малышев, Анатолий Александрович
ВВЕДЕНИЕ.
ГЛАВА I. ЭЛЕКТРОННЫЕ ВОЗБУЖДЕНИЯ В ЧИСТЫХ И ПРИМЕСНЫХ
ЩЕЛОЧНО-ГАЛОИДНЫХ КРИСТАЛЛАХ (ОБЗОР ЛИТЕРАТУРНЫХ
ДАННЫХ).II
1.1. Электронные возбуждения в ЩГК .II )
1*1.1. Автолокализованные дырки.II
1.1.2. Экситоны в щелочно-галоидных кристаллах.
1.2. Электронные возбуждения в ЩГК с гомологической примесью
1.3. Влияние примеси на образование и накопление радиационных дефектов в ЩГК
1.4. Задачи исследования.
ГЛАВА 2. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЙ,
ИСПОЛЬЗУЕМЫЕ В РАБОТЕ.V.
2.1. Установка импульсной абсорбционной и люминесцентной спектрометрии.
2.2. Обработка экспериментальных данных.
2.3. Объекты исследования.
ГЛАВА 3. ЛОКАЛИЗАЦИЯ ЭЛЕКТРОННЫХ ВОЗБУЖДЕНИИ ВБЛИЗИ
ПРИМЕСИ ИОДА В
3.1. Короткоживущее поглощение в К с/:у , наводимое импульсом радиации.
3.2. Эффективность захвата электронных возбуждений примесью иода.
3.3. Люминесценция кристаллов IШ-.ъ при импульсном возбуждении радиацией.
3.4. Механизмы процесса захвата электронных возбуждении примесью иода в и их эволюции.
3.5. Природа полосы люминесценции на 3,4 эВ в К а-.'З
ГЛАВА 4. ЗАХВАТ ЭЛЕКТРОННЫХ ВОЗБЛЩШМ ПРИМЕСЬЮ
БРОМА В КРИСТАЛЛАХ ЫМ'-Вп И КМ:Ы
4.1. Короткоживущее поглощение в Л/аС£:Вг наведенное импульсом электронов . НО
4.2. Люминесценция кристаллов /ФСХ'Вп при импульсном возбуждении электронами
4.3. Короткоживущее поглощение, наведенное импульсом электронов в К и: 8>ч
4.4, Люминесценция при возбуждении импульсом электронов.
ГЛАВА. 5. ВЛИЯНИЕ АНИОННОИ ПРИМЕСИ НА ОБРАЗОВАНИЕ И ЭВОЛЮЦИЮ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ В К и И А/а и
5.1. Вяияние примеси иода на образование дефектов
5.2. Анализ результатов исследования процессов эволюции первичных дефектов в КС£:У
5.3. Образование центров окраски в ЫаСЛ-.&ъ
ЗАКЛШШИЕ.