Каталог / Фізико-математичні науки / Фізика конденсованого стану
скачать файл: 
- Назва:
- Структурные фазовые переходы на поверхности металлов при взаимодействии с галогенами Андрюшечкин Борис Владимирович
- Альтернативное название:
- Structural phase transitions on the surface of metals during interaction with halogens Andryushechkin Boris Vladimirovich
- ВНЗ:
- Ин-т общей физики им. А.М. Прохорова
- Короткий опис:
- Андрюшечкин, Борис Владимирович.
Структурные фазовые переходы на поверхности металлов при взаимодействии с галогенами : диссертация ... доктора физико-математических наук : 01.04.07 / Андрюшечкин Борис Владимирович; [Место защиты: Ин-т общей физики им. А.М. Прохорова]. - Москва, 2019. - 333 с. : ил.
Оглавление диссертациидоктор наук Андрюшечкин Борис Владимирович
Введение
Глава 1. Обзор литературы
1.1. Введение
1.2. Природа взаимодействия между частицами на поверхности твердого тела
1.3. Общая характеристика фазовых переходов на поверхности
1.4. Экспериментальные методы для исследования структурных переходов на поверхности
1.5. Построение фазовых диаграмм в случае хемосорбции
1.6. Примеры экспериментального изучения фазовых переходов на поверхности
1.6.1. Двумерные пленки газов на нереконструированных поверхностях
1.6.2. Реконструкции чистых поверхностей
1.6.3. Реконструкции, индуцированные адсорбатом
1.7. ^стемы галоген/металл
1.7.1. Общая характеристика
1.7.2. Адсорбция галогенов на грани (111) г.ц.к. металлов
1.7.3. Адсорбция галогенов на грани (100) г.ц.к. металлов
1.7.4. Адсорбция галогенов на грани (110) г.ц.к. металлов
1.7.5. Реконструкционные фазовые переходы
Заключение к ГЛАВЕ 1 и постановка задачи
Глава 2. Основные методы исследования
2.1. Экспериментальные методы
2.1.1. Описание сверхвысоковакуумных установок
2.1.2. Использованные образцы
2.1.3. Сканирующая туннельная микроскопия
2.1.4. Дифракция медленных электронов
2.1.5. Электронная оже-спектроскопия
2.2. Теоретические методы
2.2.1. Теория функционала плотности
2.2.2. Методы расчета СТМ изображений
Заключение к ГЛАВЕ
Глава 3. Фазовые переходы на субмонослойной стадии адсорбции
3.1. Система С1/Аи(111)
3.1.1. Общие сведения об адсорбции хлора на грань Аи(111)
3.1.2. Начальная стадия адсорбции, формирование нанопори-стой структуры и снятие реконструкции Аи(111)
3.1.3. Трансформация нанопористой структуры при увеличении степени покрытия хлором (0.09 < 0 <0.33 МС)
3.1.4. Температурная стабильность нанопористой структуры
3.1.5. Объяснение наблюдения аномально малых расстояний в одноатомных цепочках хлора
3.1.6. Движущая сила самоорганизации атомов хлора в нанопо-ристую структуру
3.2. Система С1/Си(111)
3.2.1. Общие сведения об адсорбции хлора на грань Си(111)
3.2.2. Формирование цепочечных структур из атомов хлора
3.2.3. Формирование неупорядоченной нанопористой структуры и ее трансформация при увеличении степени покрытия хлором (0.09< 0 <0.33 МС)
3.2.4. Объяснение наблюдения аномально малых расстояний в одноатомных цепочках хлора
3.2.5. Объяснение формирования цепочечных структур
3.3. Система ОМ^(111)
3.3.1. Общие сведения об адсорбции хлора на грань Ag(111)
3.3.2. Формирование цепочечных структур
3.3.3. Формирование фазы (>/3 х /3)1Ш0
3.3.4. Объяснение наблюдения аномально малых расстояний в одноатомных цепочках хлора
3.3.5. Объяснение формирования цепочечных структур
Заключение к ГЛАВЕ
Глава 4. Фазовые переходы типа «соразмерная-несоразмерная фаза»
4.1. Введение
4.2. Монослои галогенов на грани (111) г.ц.к. металлов
4.2.1. Система С1М^(111)
4.2.1.1. Введение в систему С1М^(111)
4.2.1.2. Локальное сжатие решетки (/3 х /3)К30о
4.2.1.3. Формирование доменных стенок
4.2.1.4. Конденсация краудионов в доменные стенки
4.2.1.5. Микроскопический механизм перехода от краудионов к доменным стенкам
4.2.2. Система С1/Си(111)
4.2.2.1. Введение в систему С1/Си(111)
4.2.2.2. Сжатие соразмерной решетки Си(111)-(л/3 х ^/3)К30°-С1
4.2.2.3. Существование краудионов и модель сжатия
4.2.3. Система 1/Си(111)
4.2.3.1. Введение в систему 1/Си( 111)
4.2.3.2. Атомная структура монослоя
4.2.3.3. Модель доменных стенок
4.2.4. Система 1М^(111)
4.2.4.1. Введение в систему ¡М^(111)
4.2.4.2. Формирование линейных доменных стенок
4.2.4.3. Модель доменных стенок
4.3. Монослои галогенов на грани (100) г.ц.к. металлов
4.3.1. Система 1М^(100)
4.3.1.1. Введение в систему 1М^(100)
4.3.1.2. Определение мест адсорбции атомов йода в структуре е(2х 2)
4.3.1.3. Природа химической связи атома йода с поверхностью серебра
4.3.2. Система 1/Си(100)
4.3.2.1. Введение в систему 1/Си(100)
4.3.2.2. ЭОС и ДМЭ измерения
4.3.2.3. СТМ измерения
4.3.2.4. Механизмы 2Б фазовых переходов
4.4. Монослои галогенов на грани (110) г.ц.к. металлов
4.4.1. Система 1/Си(110)
4.4.1.1. Введение
4.4.1.2. Структура монослоя йода на поверхности Си( 110)
4.4.2. Система 1М^(110)
4.4.2.1. Введение в систему ¡М^(110)
4.4.2.2. Формирование соразмерной структуры с(2 х 2) и ее сжатие при адсорбции йода на поверхность Ag(110)
Заключение к ГЛАВЕ
Глава 5. Реконструкционные фазовые переходы
5.1. Система С1М^(111)
5.1.1. Интерпретация картин дифракции от хлорированной поверхности Ag(111) и формирование антифазных островков (3x3)
5.1.2. Детали атомной структуры островков (3x3)
5.1.3. Расшифровка реконструкции (3x3)
5.2. Система С1/Си(110)
5.2.1. Введение в систему С1/Си(110)
5.2.2. Данные ЭОС и ДМЭ
5.2.3. Низкие покрытия (зона I): п <0
5.2.3.1. Сверхнизкие покрытия. Предпочтительные места адсорбции
5.2.4. Реконструкция поверхности типа 1 хп
5.2.5. Реконструкция типа «разреженных доменных стенок» и формирование решетки с(2х2) (зона II): 0.4< п <0
5.2.5.1. СТМ-данные (300 К)
5.2.5.2. Процесс формирования линейных разреженных доменных стенок
5.2.5.3. Расшифровка атомной структуры разреженных доменных стенок
5.2.6. Сжатие решетки с(2 х 2) и фасетирование поверхности (зона III): 0.90< п <1
5.2.6.1. Сжатие решетки с(2 х2)
5.2.6.2. Несоразмерная структура
5.2.6.3. Фасетирование
Заключение к ГЛАВЕ
Глава 6. Формирование поверхностных галогенидов
6.1. Локальные поверхностные галогениды
6.1.1. Система С1/Аи(111)
6.1.1.1. Формирование квазимолекулярных структур на
хлорированной поверхности Аи(111)
6.1.1.2. Идентификация квазимолекул
6.1.1.3. Структура типа «пчелиных сот»
6.1.1.4. Структурные и зарядовые свойства квазимолекул АиС12
6.1.2. Система С1М^(111)
6.1.2.1. Насыщенное покрытие хлора на грани Ag( 111): формирование массива кластеров
6.1.2.2. Идентификация кластеров
6.2. Тонкие пленки галогенидов
6.2.1. Система 1М^(100)
6.2.1.1. Формирование тонкой пленки AgI на поверхности Ag(100)
6.2.1.2. Атомная структура пленки йодида серебра
6.2.1.3. ТФП-моделирование пленки AgI на грани Ag(100)289 Заключение к ГЛАВЕ
Заключение
Список сокращений и условных обозначений
Список литературы
- Стоимость доставки:
- 230.00 руб