СВЧ транзистор миллиметрового диапазона на основе (InAlGa)N/AlN/GaN гетероструктуры с легированными буферными слоями Великовский Леонид Эдуардович

Короткий опис

Великовский, Леонид Эдуардович.
СВЧ транзистор миллиметрового диапазона на основе (InAlGa)N/AlN/GaN гетероструктуры с легированными буферными слоями : диссертация ... кандидата технических наук : 01.04.04 / Великовский Леонид Эдуардович; [Место защиты: Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники]. - Томск, 2019. - 144 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат наук Великовский Леонид Эдуардович
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1. Основные параметры и особенности конструкций СВЧ транзисторов миллиметрового диапазона на основе нитрида галлия
1.1 Основные пути повышения рабочей частоты и мощности СВЧ транзисторов
1.2 Электрофизические свойства системы материалов (1пАЮа)КЮаК, используемые при применении в мощных СВЧ транзисторах
1.3 Конструкции гетероструктур на основе GaN для СВЧ транзисторов
1.3.1 Гетероструктуры на основе АЮаК/ ОаК
1.3.2 Конструкции буферного слоя
1.3.3 Эффекты, влияющие на выбор конструкции
1.3.4 Технологии пассивации транзисторов
1.3.5 Гетероструктуры 1пАШ/GaN
1.4 Основные результаты и выводы главы
ГЛАВА 2. Исследование эпитаксиальных гетероструктур для СВЧ транзисторов
2.1 Конструкции гетероструктур для СВЧ транзисторов
2.1.1 Гетероструктуры на основе АЮа^ GaN
2.1.2 Гетероструктуры на основе 1пАШ/ОаК
2.2 Конструкции буферных слоев для гетероструктур их влияние на параметры СВЧ транзисторов на основе GaN
2.2.1 Выбор конструкций и тестовых элементов для исследования параметров буферных слоев
2.2.2 Буферные слои на основе нелегированного GaN
2.2.3 Буферные слои на основе GaN, легированного углеродом
2.2.4 Буферные слои на основе GaN, легированного железом
2.2.5 Буферные слои на основе GaN, легированного железом и углеродом
2.2.6 Буферные слои на основе AlGaN и GaN
2.3 Исследование пассивирующих покрытий
2.3.1 Выбор режимов осаждения и методика исследования
2.3.2 Профиль элементов в диэлектрических пленках нитрида кремния
2.3.3 Анализ химических связей в нитриде кремния
2.3.4 Профиль элементов в диэлектрических пленках диоксида кремния и оксида алюминия
2.3.5 Влияние in situ пассивации на напряжение пробоя и токи утечки затвора в InAlN/AlN/GaN HEMT
2.3.6 Выводы
2.4 Основные результаты и выводы главы
ГЛАВА 3. Исследование характеристик СВЧ транзисторов
3.1 Технология изготовления транзисторов
3.2 Исследование импульсных и СВЧ характеристик транзисторов
3.2.1 Параметры гетероструктуры InAlN/AlN/GaN и их влияние на СВЧ характеристики
3.2.2 Сравнение импульсных ВАХ транзисторов
3.2.3 Влияние расстояния исток-сток на СВЧ характеристики
3.2.4 Влияние длины затвора на усиление (InAlGa)N/AlN/GaN HEMT
3.2.5 Сравнение граничных частот усиления AlGaN/AlN/GaN и InAlN/AlN/GaN транзисторов
3.3 Основные результаты и выводы главы
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ