Свойства электрон-фононных систем, обусловленные локальными кристаллическими полями и структурой электронных зон Мазур Евгений Андреевич

Короткий опис

Мазур, Евгений Андреевич.
Свойства электрон-фононных систем, обусловленные локальными кристаллическими полями и структурой электронных зон : диссертация ... доктора физико-математических наук : 01.04.02 / Мазур Евгений Андреевич; [Место защиты: ФГАОУ ВО «Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет)»]. - Москва, 2020. - 298 с. : ил.
Оглавление диссертациидоктор наук Мазур Евгений Андреевич
Оглавление
Общая характеристика работы и краткий обзор содержания диссертации
Глава 1. Основные физические модели и результаты расчетов электрон-фононных систем
1.1. Общие черты во взаимодействии медленных и быстрых заряженных частиц с трансляционно-неинвариантной и конечнозонной ЭФ системой кристалла
1.2. Самосогласованное описание электрон-фононной системы кристалла в случае сильного взаимодействия
1.3. Современная теория электрон-фононного взаимодействия
1.4. Теория электрон-фононной системы сверхпроводника и современное состояние теории сверхпроводимости
1.5. Физическое описание взаимодействия быстрых заряженных частиц с трансляционно -неинвариантной ЭФ системой кристалла
1.6. Физические модели для описания радиационно-стимулированной диффузии и
динамики неравновесных носителей в кристаллах
Гл.2. Построение обобщенной теории и расчет нормальных и сверхпроводящих свойств узкозонных и высокотемпературных электрон-фононных систем
2.1. Расчеты эффекта реконструкции поверхности Ферми для сильно связанной электрон-фононной системы
2.2. Построение обобщенной физической теории для описания нормальных свойств ЭФ систем в случае сильной 1> 1 связи
2.3. Построение обобщенной теории и расчеты нормальных свойства купратов
2.4. Расчеты температурной зависимости действительной части собственной энергии Яе Х(^) высокотемпературных медесодержащих сверхпроводников
2.5. Построение теории и расчеты сверхпроводимости для электронной зоны конечной ширины с не постоянной плотностью электронных состояний
2.6. Выводы
Гл.3. Исследование из первых принципов электронных и фононных свойств металлического водорода, сероводорода и фосфидов под давлением
3.1. Расчеты электронных и фононных свойства сероводорода под давлением
3.2. Оптимизация сверхпроводящей фазы сероводорода на основе выполненных численных расчетов
3.3. Изучение из первых принципов свойств квазидвумерного металлического водорода в дифосфиде при высоком давлении
3.4. Поиск и расчет из первых принципов устойчивой структуры металлического водорода при давлении 500 ГПа
3.5. Выводы
Гл.4. Расчеты свойств металлического сероводорода и металлического
водорода, обусловленных ЭФ взаимодействием
4.1. Введение
4. 2. Построение обобщенной теории нормального и сверхпроводящего состояния для веществ с не постоянной плотностью электронных состояний в зоне
4.3. Построение физической модели перенормировки электронного спектра в нормальном состоянии электрон-фононным взаимодействием
4.4. Построение обобщенной теории сверхпроводящего состояния, обусловленного электрон-фононным взаимодействием
SH
4.5. Результаты расчетов электронных свойств структуры 3, не перенормированных электрон-фононным взаимодействием
4.6. Методы расчета и результаты для нормального состояния металлического
сероводорода симметрии IM-3M фазы SH3
4.7. Физическое описание и расчеты сверхпроводящих свойств сероводорода
4.8. Расчет критической температуры металлического водорода при давлении 500 ГПа
4.9. Выводы
Глава 5. Построение теории нормальных и сверхпроводящих свойств двухзонных
материалов и кристаллов с примесями
5.1. Построение теории высокотемпературной сверхпроводимости в двухзонных материалах с межзонным спариванием
5.2. Построение обобщенной зависимости спектральной функции электрон-фононного взаимодействия кристалла от концентрации примесей
5.3. Построение обобщенной теории сверхпроводимости металлов с немагнитными примесями
5.4. Выводы
Гл. 6. Построение обобщенной теории взаимодействия быстрых заряженных частиц с ориентированной ЭФ системой кристалла
6.1. Построение теории эффектов возбуждения электронной и ионной подсистем кристалла импульсом быстрых ориентированных частиц
6.2. Расчеты потерь энергии каналированных релятивистских электронов, протонов и позитронов с учетом эффектов локальных кристаллических полей
6.3. Зонная структура и волновые функции быстрой ориентированной заряженной частицы в кристалле
6.4. Разработка физической модели дифракции, рассеяния, потерь поперечной энергии в кристалле и объемного захвата быстрых заряженных частиц в изогнутом кристалле
6.5. Построение теории, описывающей проявление спектра возбуждений кристалла в спектре эмиссии фотонов квантовой каналированной частицы
6.6. Описание эмиссии фотонов квантовой каналированной частицей, сопровождаемой генерацией плазмонов и фононов
6.7. Анализ ориентационной зависимости аннигиляции релятивистских позитронов в монокристалле
6.8. Выводы
Гл. 7. Исследование эволюции профиля имплантируемых ионов и динамических решеток
7.1. Решение уравнений пространственно-временной эволюции профиля имплантируемых ионов в кристаллах в присутствии радиационных дефектов
7.2. Построение физической модели и численное исследование динамики фотоиндуцированного заряда в полупроводниках
7.3. Построение физической модели и численное исследование эволюции
динамических решеток носителей заряда в полупроводниках
7.4. Выводы
Основные результаты диссертации
Благодарности
Литература