Свойства ионных кристаллов при высоких плотностях ионизации Вайсбурд, Давид Израйлевич

Короткий опис

Вайсбурд, Давид Израйлевич.Свойства ионных кристаллов при высоких плотностях ионизации : диссертация ... доктора физико-математических наук : 01.04.07. - Томск, 1983. - 280 с. : ил.

Оглавление диссертациидоктор физико-математических наук Вайсбурд, Давид Израйлевич
ВВЕДЕНИЕ .2
Глава I. СОБСТВЕННАЯ ЛШШЕСЦЕНЦИЯ ИОННЫХ КРИСТАЛЛОВ ПРИ
ИМПУЛЬСНОМ ОЫУЧЕНИИ ПЛОТНЫМИ ПУЧКАМИ ЭЛЕКТРОНОВ 36
1.1. Собственная экситонная люминесценция ионных кристаллов (обзор) . 37
1.2. Параметры экспериментальной установки . . 38
1.3. Спектры люминесценции.43
1.4. Температурные свойства свечения . 49
1.5. Структурная нечувствительность плазменной люминесценции.54
1.6. Время релаксации свечения .55
1.7. Зависимость интенсивности свечения от плотности электронного пучка .57
1.8. Абсолютный выход свечения.59
1.9. Качественная модель свечения . 63
1.10. Количественная оценка спектра . высокоэнергетической внутризонной люминесценции .68
1.11. Сравнение модели свечения с экспериментом . 75
1.12. Что известно о внутризонной люминесценции ? 78
Глава 2. НЕРАВНОВЕСНАЯ ПРОВОДИМОСТЬ ИОННЫХ КРИСТАЛЛОВ ПРИ ИМПУЛЬСНОМ ОБЛУЧЕНИИ ПЛОТНЫМИ ЭЛЕКТРОННЫМИ И РЕНТГЕНОВСКИМИ ПУЧКАМИ.82
2.1. Низкоэнергетическая и горячая проводимость ионных кристаллов (обзор) . 83
2.2. Экспериментальная установка и методика измерений .84
- - »
Стр.
2.3. Временная структура импульса тока проводимости .92
2.4. Вольтамперные характеристики . 96
2.5. Зависимость сопротивления от толщины образца.101
2.6. Проводимость ионных кристаллов при импульсном облучении рентгеновскими лучами . 103
2.7. Проводимость в сильных полях . . . 104
2.8. Сравнение цроводимости разных материалов 107
2.9. Зависимость цроводимости от плотности пучка 108
2.10. Температурная зависимость проводимости 114.
2.11. Основные области энергетического спектра неравновесных носителей . 120
2.12. Модель инерционной цроводимости . . 123
2.13. Внутрицентровая проводимость . . . 126
2.14. Высокоэнергетическая проводимость . . 135
Глава 3. МОЩНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ ЭМИССИЯ ДИЭЛЕКТРИКОВ, ВЫЗВАННАЯ ИМПУЛЬСНЫМ ОБЛУЧЕНИИ/! ПЛОТНЫМ ПУЧКОМ ЭЛЕКТРОНОВ.146
3.1. Пороговая эмиссия диэлектриков под действием электронных пучков низкой плотности обзор.147
3.2. Эмиссия диэлектриков под действием электронных пучков высокой плотности (экспериментальные результаты) . 150
3.3. Обсуждение механизма мощной электронной эмиссии.159
Глава 4. ХРУПКИЙ РАСКОЛ ИОННЫХ КРИСТАЛЛОВ И СТЕКОЛ ПОД
ДЕЙСТВИЕМ ИМПУЛЬСНОГО . ОБЛУЧЕНИЯ ПЛОТНЫМИ ЭЛЕКТРОННЫМИ ПУЧКАМИ.162
4.1. Средние энергетические пороги раскола . 163
4.2. Оптическая микроскопия следов электронного раскола.167
4.3. Методика измерения функций распределения вероятности раскола . 169
4.4. Тонкая структура функций распределения . 171
4.5. Зависимость среднего порога электронного раскола от толщины образца . 174
4.6. Функция распределения вероятности разрушения толстых образцов.177
4.7. Размерный эффект и эффект Иоффе для электронного раскола ионных кристаллов . . 4.8. Обсуждение механизма электронного раскола ионных кристаллов . 183
Глава 5. ПРИМЕНЕНИЕ ИМПУЛЬСНОГО ОБЛУЧЕНИЯ ИОННЫХ
КРИСТАЛЛОВ ПЛОТНЫМИ ПУЧКАМИ ЗДЕКГР0Н0В ДЛЯ МОДЕЛИРОВАНИЯ ПРОЦЕССОВ В ТРЕКАХ ТЯЖЕЛЫХ . ЗАРЯЖЕННЫХ ЧАСТИЦ.191
5.1. Представление чисел перекрывания треков 192
5.2. Эффективные сечения треков протонов и альфа-частиц в ионных кристаллах . . 193
5.3. Моделирование высокой плотности ЭД-плазмы и дефектов в треке . 211
5.4. Исследование превращения ^-центров под действием плотных электронных потоков методом импульсной абсорбционной спектроскопии .220
5.5. Моделирование перекрывания треков тяжелых заряженных частиц в твердом теле посредством периодического импульсного облучения плотным электронным потоком.226
Глава 6. ПРАКТИЧЕСКОЕ ПРИМЕНЕНИЕ РЕЗУЛЬТАТОВ РАБОТЫ 230
6.1. Высокоэнергетическая электроника твердого тела.231
6.2. Применение высокоэнергетической внутризонной люминесценции.232
6.3. Применение высокоэнергетической проводимости 237
6.4. Применение мощной электронной эмиссии . 238
6.5. Применение электронного раскола твердых тел 239