Дефектно-примесная структура монокристаллов теллурида цинка и создание излучающих диодов на их основе Иванов, Валерий Александрович

Краткое описание

Иванов, Валерий Александрович.
Дефектно-примесная структура монокристаллов теллурида цинка и создание излучающих диодов на их основе : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10. - Минск, 1984. - 185 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Иванов, Валерий Александрович
ВВЕДЕНИЕ.
ГЛАВА I. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ. II
§ I. Методы выращивания кристаллов ZaTe и их основные электрофизические свойства . II
§ 2. Примесная фотолюминесценция теллурида цинка и ее связь с преобладающими акцепторами . •
§ 3. Электрические и люминесцентные свойства кристаллов, легированных донорами. Компенсация донорной примеси
§ 4. Свойства излучающих структур и электролюминесценция теллурида цинка
ГЛАВА П. ВЫРАЩИВАНИЕ МОНОКРИСТАЛЛОВ ZriTe И МЕТОДИКА
ЭКСПЕРИМЕНТА.
§ 5. Способы получения монокристаллов теллурида цинка.
§ 6. Методика исследований электрофизических и люминесцентных свойств кристаллов и диодных структур.
§ 7. Анализ структурных, электрических и люминесцентных характеристик кристаллов ZriTe , выращенных различными способами.
ГЛАВА Ш. УЗКОЛИНЕЙЧАТАЯ ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ НЕЛЕГИРОВАННЫХ КРИСТАЛЛОВ ТЕЛЛУРИДА ЦИНКА, ОБУСЛОВЛЕННАЯ ДИСЛОКАЦИЯМИ
§ 8. Связь линейчатой люминесценции с макродефектами кристалла.
§ 9. Механизмы излучательных переходов, соответствующие линейчатым спектрам.
ГЛАВА 1У. ВЛИЯНИЕ ТЕРМООБРАБОТКИ, ОБЛУЧЕНИЯ МОЩНЫМИ СВЕТОВЫМИ ПОТОКАМИ И ЛЕГИРОВАНИЯ НА ПРОЦЕССЫ ИЗЛУЧАТЕДЪНОЙ
РЕКОМБИНАЦИИ ТЕИУРИДА ЦИНКА.
§ 10. Трансформация широкополосной фотолюминесценции кристаллов после термообработки или мощного лазерного облучения
§ II. Влияние легирования на излучательную рекомбинацию носителей в кристаллах.
§ 12. Люминесценция кристаллов ЪiTe , легированных мелкими донорами.
ГЛАВА У. ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И аШТРОЛШИНЕСЦЕНТНЫЕ СВОЙСТВА ДИОДНЫХ СТРУКТУР, ПОЛУЧЕННЫХ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИЕЙ
БОРА ИЛИ ДИФФУЗИЕЙ АЛЮМИНИЯ.
§ 13. Свойства омических контактов к ZnTe , образующихся при электрохимическом осаждении металлов
§ 14. Влияние технологических условий получения на основные электрические характеристики диодов
§ 15. Электролюминесценция диодов на основе ZnTe