Деградация структур металл-арсенид галлия Эм Рен Сик, 0

Краткое описание

Эм Рен Сик.
Деградация структур металл-арсенид галлия : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10. - Одесса, 1985. - 149 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Эм Рен Сик, 0
ВВЕЩЕНИЕ
ГЛАВА I. ВЛИЯНИЕ ПЛАСТИЧЕСКИХ ДЕФОРМАЦИЙ НА ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ АШВУ И ПРИБОРНЫХ СТРУКТУР НА ИХ ОСНОВЕ
1.1. Электрические характеристики структур металл-полупроводник А В
1.2. Физические свойства дислокаций в полупроводниках АШВУ.
1.3. Влияние деформаций на свойства полупроводников АШВУ.
1.4. Влияние деформаций на свойства полупроводниковых приборных структур
1.5. Выводы к главе I
ГЛАВА П. МЕТОДИКИ И ПОЛУЧЕНИЯ ПЕРЕХОДОВ МЕТАЛЛ-ПОЛУПРОВОДНИК И ИССЛЕДОВАНИЯ ИХ ХАРАКТЕРИСТИК
2.1. Технология получения структур
III У металл-полупроводник А В
2.2. Методика исследования электрических характеристик структур металл-полупроводник
2.3. Методика исследования фотоэлектрических характеристик структур металл-полупроводник
2.4. Методика исследования неоднородностей на повнрхности полупроводников и структур металл-полупроводник
2.5. Выводы к главе П.
ГЛАВА Ш. ДЕГРАДАЦИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК СТРУКТУР МЕТАЛЛ-ПОЛУПРОВОДНИК
3.1. Характеристики переходов металл-арсенид галлия
3.2. Деградация барьеров Шоттки под действием механических напряжений
3.3. Деградация структур Ai-Gods при пропускании тока
3.4. Деградация переходов металл-полупроводник при одновременном действии одноосного сжатия и пропускания тока
3.5. Выводы к главе Ш
ГЛАВА 1У. ИССЛЕДОВАНИЕ ПРИРОДЫ ДЕФЕКТОВ, ОТВЕТСТВЕННЫХ
ЗА ДЕГРАДАЦИЮ СТРУКТУР МЕТАЛЛ-(jCl/ls
4.1. Исследование точечных дефектов, возникающих при деградации переходов Jlu-G-aJIs . Ю
4.2. Изучение неоднородностей переходов Ли-[гоЛв фотоэлектрическими методами
4.3. Исследование дислокаций в кристаллах ùaAs, подвергнутых одноосному давлению
4.4. Выводы к главе 1У.