Делокализованные и локализованные состояния позитронов и позитрония в щелочногалоидных кристаллах и полупроводниках Кузнецов, Павел Викторович

Краткое описание

Кузнецов, Павел Викторович.
Делокализованные и локализованные состояния позитронов и позитрония в щелочногалоидных кристаллах и полупроводниках : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.07. - Томск, 1983. - 222 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Кузнецов, Павел Викторович
Глава I. Обзор экспериментальных и теоретических работ по исследованию аннигиляции позитронов в щелочногалот-идных кристаллах и полупроводниках
1.1. Аннигиляция позитронов и позитрония в веществе и её характеристики
1.2. Аннигиляционные характеристики позитронов в щелочно-галоидных кристаллах и полупроводниках с низкой концентрацией дефектов
1.2.1. Щелочногалоидные кристаллы с низкой концентрацией дефектов • ••.•••••••
1.2.2. Полупроводниковые кристаллы с низкой концентрацией дефектов
1.3. Модели позитронных состояний в идеальных щелочнога-лоидных и полупроводниковых кристаллах
1.3Л. Позитронные состояния в щелочногалоидных кристаллах
1.3.2. Позитронные состояния в полупроводниках
1.4. Аннигиляция позитронов в кристаллах с высокой концентрацией дефектов. Аннигиляционные центры. •
Глава 2. Описание экспериментальной аппаратуры, методики эксперимента и обработки экспериментальных данных
2.1. Установка для измерения углового распределения аннигиляционных фотонов
2.1*1. Механическая часть установки
2.1.2. Электромагнит
2.1.3. Вакуумная аннигиляционная камера
2.1.4. Коллиматоры
2.1.5. Система отработки угла поворота подвижного плеча
2.1.6. Детекторы
2.1.7. Электронно-регистрирующее устройство "Кедр" . . •
2.1.8. Блоки питания •
2.1.9. Погрешность измерений •
2.2. Измерение спектров времени жизни позитронов
2.3. Измерение вероятности 3 )( - аннигиляции позитронов
2.4. Математическая обработка.результатов.экспериментов
2.4.1. Обработка кривых УРАФ
2.4.2. Обработка спектров времени жизни
2.5. Приготовление образцов и источников позитронов . . III
Глава 3. Делокализованные и локализованные позитрониевые состояния в ЩГК
3.1. Обнаружение и исследование "высокотемпературных" делокализованных позитрониевых состояний в кристаллах Natt повышенной чистоты
3.1.1. Обнаружение "высокотемпературного" делокализованного Ps в /JaCE повышенной чистоты.
3.1.2. Исследование позитрониевых состояний в кристаллах
А/аСе (пвч).
3.2. Аннигиляция позитронов в щелочногалоидных кристал . лах легированных примесями
3.2.1. Исследование влияния электроно-акцепторных примесей на образование позитрониевых состояний в щелочногалоидных кристаллах
3.2.2. Аннигиляция позитронов в кристаллах КЬъ , активированных ионами лития
Глава 4. Исследование аннигиляции позитронов в полупроводниках
4.1. Поиск и исследование позитрониевых состояний в полупроводниках
4.1.1. Поиск позитрониевых состояний в кристаллах 5i
Se . GaJs * ColTa
4.1.2. Исследование аннигиляции позитронов в облученных полупроводниковых кристаллах Si П - и jb - типа
4.1.3. Обнаружение позитрониевых.состояний.в кластерных кристаллах Se.
4.2. Наблюдение изменений электронной структуры в кристаллах кремния при возбуждении в них акустических колебаний большой амплитуды
4.3. Исследование влияния малых доз позитронного облучения на дефектность эпитаксиальных структур QqJ/s , подвергнутых двойному легированию ( Si , Sn )