Экситоны, связанные на изоэлектронных примесях в многодолинных полупроводниках с вырожденными зонами: азот и висмут в GaP Логинова, Татьяна Николаевна

Краткое описание

Логинова, Татьяна Николаевна.
Экситоны, связанные на изоэлектронных примесях в многодолинных полупроводниках с вырожденными зонами: азот и висмут в GaP : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10. - Ленинград, 1985. - 192 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Логинова, Татьяна Николаевна
ВВЕДЕНИЕ . ,.
ОБОЗНАЧЕНИЯ.
ГЛАВА I. ЭКСИТОНЫ, СВЯЗАННЫЕ НА И30ЭЛЕКГР0ННЫХ ЛОВУШКАХ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ» ПАРАМЕТРЫ ФОСФИДА ГАЛЛИЯ И ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ НА ЕГО ОСНОВЕ.
1.1. Экситоны, связанные на изоэлектронных ловушках в полупроводниках» Эксперимент . »
1.2. Экситоны, связанные на изоэлектронных ловушках в полупроводниках» Теория
1.3. Основные^параметры фосфида галлия и твф£дих растворов на его основе
Вывод ы';" Y
ГЛАВА 2. ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ СОСТОЯНИЯ И ВОЛНОВЫЕ
ФУНКЦИИ ЭКСИТОНОВ, СВЯЗАННЫХ НА ИЗОЭЛЕКТРОННЫХ ЦЕНТРАХ В МНОГОДОЛИННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ С ВЫРОЖДЕННЫМИ ЗОНАМИ.
2.1. Выбор одночастичного базиса и вывод уравнения Шредингера для связанного экситона
2.2. Волновые функции и энергетический спектр связанных экситонов
2.2.1. Волновая функция связанного экситона в случае ионизованного состояния электрона (непрерывный спектр связанного экситона)
2.2.2. Связанные состояния электрона (дискретный спектр экситона)
2.2.3. Волновая функция электрона, связанного на изоэлектронном центре в случае вырожденных зон.
Выводы.
ГЛАВА 3. ЭКСИТОНЫ, СВЯЗАННЫЕ НА И30ЭЛЕКТР0ННЫХ
ЦЕНТРАХ В ФОСФИДЕ ГАЛЛИЯ.
3.1. Классификация состояний экситонов, связанных на изоэлектронных центрах bGqP
3.2. Изоэлектронный акцептор-азот в Ga Р • • • *
3.2.1. Волновая функция связанного электрона и долино-орбитальное расщепление.
3.2.2. Акцептороподобные состояния экситона, связанного на азоте в GaP
3.3. Изоэлектронный донор-висмут в GaP • •
3.4. Построение гамильтониана экситона Г{2 методом инвариантов
Выводы
ГЛАВА 4. РАСЧЕТ ОПТИЧЕСКОГО ПОГЛОЩЕНИЯ НА СВЯЗАННЫХ
ЭКСИТОНАХ В МНОГОЗОННОЙ МОДЕЛИ.
4.1. Оптическое поглощение при переходах в состояния дискретного и непрерывного спектров связанных экситонов (первый порядок теории возмущений) *••*.••
4.2. Оптическое поглощение на связанных экситонах с учетом электрон-фононного взаимодействия (второй порядок теории возмущений) ».*.
4.3. Оптическое поглощение на связанных экситонах в фосфиде галлия
Выводы.
ГЛАВА 5. ЭКСИТОНЫ, СВЯЗАННЫЕ НА И30ЭЛЕКТР0НН0Й ЛОВУШКЕ АЗОТА, В ТВЕРДЫХ РАСТВОРАХ Gqfls^P,
5,1. Экспериментальная установка и методика измерения спектров фотоответа полупроводников в области связанных экситонов
5,1.1» Экспериментальная установка
5.1.2* Методика приготовления и характеристики образцов
5.2. Спектральные зависимости фотоответа р-п-переходов на основе Ga/ls^f^ , легированных азотом •••
5.3. Двухуровневая модель для экситонов, связанных на азоте в Go/fs^f^
Выводы