Каталог / ФИЗИКО-МАТЕМАТИЧЕСКИЕ НАУКИ / Физика полупроводников
скачать файл: 
- Название:
- Электрические и фотоэлектрические свойства полупроводниковых сплавов n-Bi1-xSbx Мартяхин, Валерий Александрович
- Альтернативное название:
- Electrical and photoelectric properties of semiconductor alloys n-Bi1-xSbx Martyakhin, Valery Alexandrovich
- Краткое описание:
- Мартяхин, Валерий Александрович.
Электрические и фотоэлектрические свойства полупроводниковых сплавов n-Bi1-xSbx : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10. - Москва, 1987. - 192 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Мартяхин, Валерий Александрович
ВВЕДЕНИЕ.
Глава I. ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА СПЛАВОВ ВИСМУТ-СУРЬМА
1.1. Кристаллическая структура и энергетический спектр сплавов висмут-сурьма
1.2. Законы дисперсии в висмуте и сплавах висмут-сурьма
1.3. Влияние внешних воздействий на энергетический спектр сплавов висмут-сурьма.
1.4. Электрические и оптические свойства полупроводниковых сплавов Е>1ьх $Ь,г
1.5. Анализ литературных данных и постановка задачи исследований
Глава П. МЕТОДИКИ ИССЛЕДОВАНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ И ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СВОЙСТВ П-В[нх 5Ьх
2.1. Используемые образцы
2.2. Установки для исследования электрических и фотоэлектрических свойотв В1,~х $Ьх
2.3. Автоматизированная система для исследований спектрального распределения ФИ и ФМЭ
Глава Ш. ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СПЛАВОВ П~Ь1,-х5Ьх
3.1. Элементы теории ФП и ФМЭ
3.2. Полевые зависимости ФП и ФМЭ при температурах 4,2+40°К.
3 .3. Спектральные зависимости ФП и ФМЭ.
3.4. Примесные состояния в сплавах /7
3.5. Анализ электрических свойств полупроводниковых сплавов П-Ыы $Ьх
V ■ Стр.
Глава 17. РЕКОМБИНАЦИОНШЕ СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ
СПЛАВОВ /7- ßihX Sbx
4.Х. Определение времен жизни неравновесных носителей заряда в полупроводниковых сплавах Bi-Sb . юб v 4.2. Рекомбинация неравновесных носителей заряда в полупроводниковых сплавах /7- ßi^x Sbx III
4.3. Фотоотклик в скрещенных электрическом и магнитном полях
Глава У. ПРИЕМНИКИ ДАЛЬНЕГО ИК ДИАПАЗОНА НА ОСНОВЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СПЛАВОВ n~ßihx Sbx
5.1. Характеристики приемников
5.2. Применение приемников из полупроводниковых сплавов ff- ЗЬл
ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ.
- Стоимость доставки:
- 650.00 руб