Электрические свойства неоднородных контактов Al+/Al-nSi диодов Шоттки Ким Чан Вом, 0

Краткое описание

Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Ким Чан Вом, 0
ВВЕДЕНИЕ.
ГЛАВА ПЕРВАЯ.ОБЗОР ЛИТЕРАТУШ.
§1.Источники неоднородности границы раздела.
1.1.1.Неоднородность по работе выхода металла.
IЛ.2.Неоднородность поверхности: полупроводника.
1.1.3.Реакция и. взаимодиффузия.
1.1.4.Периферийная неоднородность.
§2.Экспериментальные факты,доказывающие несостоятельность однородной модели.
1.2.I.Однородная модель контакта металла с полупроводником.
1.2.2.Дисперсия высоты барьера Срв
1.2.3.Трудность предсказания поведения контакта.
1.2.4.Корреляция между высотой барьера ДШ и работой выхода металла.
1.2.5.Зависимость высоты барьера ДШ фв от площади КМП.
1.2.6.Температурная зависимость ВАХ ДШ.
1.2.7.Разновидности ВАХ в прямом направлении.
1.2.8.Разновидности ВАХ в обратном направлении.
1.2.9.Зависимость напряжения пробоя от площади КМП.
ГЛАВА ВТОРАЯ.ТЕХНОЛОГИЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ iMHSOVM-nSi ДШ
И ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ МЕТОДИКА.
§1.Технология изготовления {M+{Si1}fM -hSl ДШ.
§2.Экспериментальная методика.
§3.Электрическая схема и установка зонда.
ГЛАВА ТРЕТЬЯ. ВЛИЯНИЕ ГЕОМЕТРИЧЕСКИХ РАЗМЕРОВ НА
СВОЙСТВА (М + <Si))/М - п Si ДИОДОВ ИЮТТКЙ.
§1.Влияние площади КМП на свойства
M+<SO)/M-riSL дш.
§2.Влияние толщины плёнки алюминия cLm на свойства (M+<Sl>)/M -nSi диодов Шоттки.
ГЛАВА ЧЕТВЁРТАЯ.ВЛИЯНИЕ ВНЕШНИХ ФАКТОРОВ
НА СВОЙСТВА ДИОДОВ ГОТТКИ.
§1.Влияние одноосного давления на свойства
- П- Si диодов Шоттки.
§2.Температурная зависимость ВАХ
Ж + <Si>)/j£ -Л Si диодов Шоттки.
§3.Влияние термоотжига на свойства
М +<SO)/M-n Si диодов Шоттки.