Электрический пробой диэлектриков и полупроводников, индуцированный плотными электронными пучками наносекундной длительности Олешко, Владимир Иванович

Краткое описание

Олешко, Владимир Иванович.
Электрический пробой диэлектриков и полупроводников, индуцированный плотными электронными пучками наносекундной длительности : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10. - Томск, 1999. - 202 с.
Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Олешко, Владимир Иванович
введение.
глава 1. преобразование энергии быстрых электронов в диэлектриках.
1.1. Потери энергии на ионизацию и возбуждение.
1.2. Влияние радиационной электризации на потери энергии быстрых электронов.
1.3. Особенности диссипации энергии сильноточных электронных пучков в диэлектриках.
1.3.1. Разрушение конденсированных сред при облучении электронными пучками наносекундной длительности.
1.3.2. Радиационно-импульсная проводимость.
1.3.3. Критическая электронная эмиссия из диэлектриков, индуцированная СЭП.
глава 2. электрический пробой в твердых телах, индуцированный плотным электронным пучком вне зоны торможения быстрых электронов
2.1. Схемы возбуждения стримерных разрядов.
2.2. Функциональная схема регистрации спектрально-кинетических характеристик стримерных разрядов.
2.3. Общие закономерности развития стримерных разрядов в диэлектриках.
2.3.1. Морфология разрушения диэлектриков.
2.3.2. Спектрально-временные характеристики стри-мерного свечения.
2.3.3. Свечение ионных кристаллов при возбуждении поверхностным разрядом.
2.3.4. Эмиссия электронов из канала электрического пр обо я, при возбуждении СЭП.
2.3.5. Оценка энергии, выделяющейся в стримерных разрядах, индуцированных СЭП.
2.3.6. Параметры импульсных напряжений, генерируемых в диэлектриках стримерными разрядами.
2.4. Стримерные разряды в полупроводниковых кри сталах группы А2В6.
2.4.1. Общие закономерности и особенности элёк-тронно-пучкового инициирования стримерных разрядов в СсКЗ.
2.4.2. Спектрально-кинетические характеристики стримерных разрядбв в сульфиде кадмия.
2.4.3. Морфология разрушения кристаллов СдБ после многократного инициирования стримерных разрядов
2.5. Амплитудно-временные характеристики средних и локальных электрических полей, индуцированных СЭП в диэлектриках и полупроводниках.
Основные результаты.
глава 3. электрический пробой в твердых телах, индуцированный плотным электронным пучком в зоне торможения быстрых электронов.
3.1. Объекты исследования.
3.2. Схема облучения образцов.
3.3. Морфология разрушения твердых тел.
3.3.1. Закономерности и особенности разрушения высокоомных материалов в режиме многократного воздействия СЭП низкой плотности.
3.3.2. Режим однократного облучения твердых тел электронным пучком высокой плотности.
3.4. Спектрально-временные параметры свечения стримерных разрядов в диэлектриках.
3.5. Импульсная катодолюминесценция полупроводников.
Основные результаты.
ГЛАВА 4. ИССЛЕДОВАНИЕ РОЛИ СТРИМЕРНЫХ РАЗРЯДОВ В ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВОМ РАЗРУШЕНИИ
ИОННЫХ КРИСТАЛЛОВ.i.
4.1. Механизмы генерации динамических напряжений в диэлектриках возбуждаемых СЭП.
4.2. Поляризационно-оптическая методика регистрации динамических и статических механических напряжений в ЩГК.
4.3. Амплитудно-временные параметры импульсных напряжений, генерируемых СЭП в ЩГК.
4.4. Пластическая деформация ЩГК
4.5. Временные характеристики формирования периодических структур разрушения, образующихся на тыльной поверхности ЩГК.
4.6. Качественная модель электронно-лучевого разрушения диэлектриков и полупроводников
Основные результаты.