Каталог / ФИЗИКО-МАТЕМАТИЧЕСКИЕ НАУКИ / Физика конденсированного состояния
скачать файл: 
- Название:
- Электронные свойства атомарно-резкой границы раздела полупроводников Брагинский, Леонид Семенович
- Альтернативное название:
- Electronic properties of the atomically sharp interface of semiconductors Braginsky, Leonid Semenovich
- Краткое описание:
- Брагинский, Леонид Семенович.Электронные свойства атомарно-резкой границы раздела полупроводников : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.07. - Новосибирск, 1998. - 154 с.
Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Брагинский, Леонид Семенович
Оглавление
Введение
I Граничные условия для огибающей волновой функции электрона
1 Граничные условия для огибающей: три точно-решаемые модели
§1 Граничные условия на атомарно-резкой границе раздела
однодолинных полупроводников
§2 Граничные условия на границе раздела двух полупроводников, зонный спектр одного из которых содержит боковую
долину
§3 Влияние резкости границы раздела на параметры граничных условий
2 Феноменологические граничные условия
§ 1 Феноменологические граничные условия для огибающей волновой функции электрона на резкой границе
§2 Прохождение в трехслойной структуре: возможность экспериментального определения параметров граничных условий 58 §3 Поглощение света на поверхности непрямозонного полупроводника
Обсуждение результатов части I
II Излучение коротковолновых фононов при туннелирова-
нии электронов
3 Излучение коротковолновых фононов при туннелирова-нии. Общая теория
§1 Приближение туннельного гамильтониана. Неупругое тун-
нелирование с участием фононов
§2 О применимости приближения туннельного гамильтониана
в задачах резонансного туннелирования
§3 с[21 /вУ2 в приближении туннельного гамильтониана
4 Излучение коротковолновых фононов при туннелирова-нии через идеальные потенциальные барьеры
§1 Об излучении коротковолновых фононов при туннелирова-
нии через гладкий потенциальный барьер
§2 Излучение коротковолновых фононов на поверхности с разрывом эффективной массы
§3 Излучение коротковолновых фононов при туннелировании
через прямоугольный потенциальный барьер
§4 Излучение коротковолновых фононов при туннелировании
в барьерах Шоттки
5 Излучение коротковолновых фононов при туннелировании через барьеры с примесями
§ 1 Влияние упруго рассеивающих примесей на неупругую компоненту туннельного тока
§2 Неупругое резонансное туннелирование
Обсуждение результатов части II
Заключение
Литература
- Стоимость доставки:
- 650.00 руб