Электронный энергетический спектр неоднородных, пространственно ограниченных и слоистых полупроводниковых структур Касаманян, Затик Акопович

Краткое описание

Касаманян, Затик Акопович.
Электронный энергетический спектр неоднородных, пространственно ограниченных и слоистых полупроводниковых структур : диссертация ... доктора физико-математических наук : 01.04.10. - Ереван, 1982. - 342 с. : ил.
Оглавление диссертациидоктор физико-математических наук Касаманян, Затик Акопович
ВВЕДЕНИЕ.
ГЛАВА I. ВОПРОСЫ СТРОГОЙ ТЕОРИИ ЭНЕРГЕТИЧЕСКОГО СПЕКТРА.
ГЛАВА П. МЕТОД ФУНКЦИЙ ГРИНА В ТЕОРИИ ЭНЕРГЕТИЧЕСКОГО
СПЕКТРА И РАССЕЯНИЯ
§ I. Метод последовательного и точного учета взаимодействий.
§ 2. Решение задачи о примесных уровнях в модели короткодействующего потенциала атомов периодической системы.
§ 3. Энергетический спектр одномерной периодической системы с модельным случайным потенциалом
§ 4. Отражение частицы на границе раздела двух сред.
§ 5. Функция Грина одномерной контактной задачи.
§ 6. Энергетический спектр дефектов в одномерной периодической системе
§ 7. К трехмерной теории глубоких уровней в полупроводниках в резко меняющихся полях.
§ 8. Связь между фазовой функцией и функцией Грина
§ 9. О последовательном решении квантовомеханической задачи для различных степеней свободы
§10. Обобщение теории контактных состояний для многоэлектронной системы и на случай других квазичастиц (фононов, плазмонов и фотонов). . . Ю
ГЛАВА Ш. ЭЛЕКТРОННЫЕ СОСТОЯНИЯ НА ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ
§11. Одномерная теория собственных поверхностных состояний в модели скачкообразного изменения потенциала поверхности.
§12. Учет искажения периодичности потенциала решетки вблизи поверхности
§13. Поверхностные состояния в улучшенной модели потенциала поверхности.
§14. Матрица функций Грина и поверхностные состояния при нулевых граничных условиях.
§15. Отражение медленных электронов от кристаллической структуры.
§16. Трехмерная теория поверхностных состояний . . . J
§17. Поверхностные состояния в полупроводниках при учете дефектов в приповерхностном слое.
§18. Эффективная масса в поверхностной подзоне в полупроводниках с узкой запрещенной зоной
§19. Распределение поверхностных и пленочных состояний в полупроводниках при случайных граничных условиях.
ГЛАВА 1У. ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ СПЕКТР ЭЛЕКТРОНА В КВАНТОВАННОЙ ТОНКОЙ ПЛЕНКЕ.
§20. Модель бесконечно высоких потенциальных стенок
§21. Случай периодического поля внутри пленки.
§22. Строгая одномерная теория энергетического спектра электрона в квантованной тонкой пленке.
§23. Трехмерная теория энергетического спектра электрона в квантованной тонкой пленке.
§24. Изменение знака постоянной Холла в полуметаллической тонкой пленке в области квантового превращения в полупроводник
§25. Поглощение света в полупроводниковой тонкой пленке с участием поверхностных состояний.
§26. Отражение медленных электронов от тонкой кристаллической структуры.
ГЛАВА У. ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ СПЕКТР ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ И БОЛЕЕ
СЛОЖНЫХ СЛОИСТЫХ СИСТЕМ.
§27. Контактные уровни на границе раздела двух идеальных одномерных подсистем.
§28. Осцилляции локальной плотности состояний в ге-тероструктурах и системах металл-диэлектрикполупроводник.
§29. Влияние контактных состояний на туннельное прохождение носителей зарядов в структурах металл-нитрид-окисел-полупроводник
§30. Энергетический спектр тонкопленочной гетероструктуры.
§31. Локальная плотность состояний в модельном варизонном полупроводнике.
ГЛАВА У1. ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ СПЕКТР СВЕРХРЕШЕТКИ.
§32. Энергетический спектр модельной периодической сверхрешетки
§33. Энергетические уровни дефектов в модельной сверхрешетке
§34. Энергетический спектр сверхрешетки из гетеропереходов.
§35. Разрешенные минизоны в запрещенной зоне.
§36. Функция Грина сверхрешетки из гетеропереходов.
§37. Локальная плотность состояний, поверхностный импеданс и другие характеристики сверхрешетки.
§38. Поперечная эффективная масса в тонкопленочной гетероструктуре и сверхрешетке изInJls-GaSS.