Фазовые диаграммы, трикритические точки и оптические свойства сегнетоэлектриков группы А V В VI С VII Герзанич, Емельян Иванович

Краткое описание

Герзанич, Емельян Иванович.
Фазовые диаграммы, трикритические точки и оптические свойства сегнетоэлектриков группы А V В VI С VII : диссертация ... доктора физико-математических наук : 01.04.07. - Ужгород, 1983. - 380 с. : ил.
Оглавление диссертациидоктор физико-математических наук Герзанич, Емельян Иванович
ВВЕДЕНИЕ. б
ГЛАВА I МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ СЕГНЕТО-ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СВОЙСТВ КРИС -ТАЛ ЛОВ В УСЛОВИЯХ ГИДРОСТАТИЧЕСКИХ ДАВЛЕНИЙ.
1.1 Установка высокого давления для оптических и электрофизических исследований
1.2 Камеры высокого давления с фиксируемым зажимом и внешней поддержкой. Малогабаритный- и гидропресс усилием 200 х 400 Т.
1.3 Методика исследований оптических и электрофизических свойств кристаллов
1.3.1 Измерение оптических свойств и электропроводности,
1.3.2 Измерение спонтанной поляризации и диэлектрической проницаемости
1.4 Подбор и приготовление образцов для исследований . 57 СВОДКА РЕЗУЛЬТАТОВ ПО ГЛАВЕ I.
ГЛАВА 2 ФАЗОВЫЕ ПЕРЕХОДЫ И р-Т-эс ДИАГРАММЫ.
2.1 Некоторые свойства сегнетоэлектрика-полупроводника при фазовых переходах.
2.1.1 Фазовые переходы второго рода
2.1.2 Фазовые переходы первого рода.
2.1.3 Поведение ширины запрещенной зоны при фазовых пере« ходах первого и второго рода.
2Л.4 Влияние гидростатического давления на фазовые переходы .72.
2.2 Сегнетоэлектрический фазовый переход и мягкая мода.
2.3 Тип и характер фазовых переходов в сегнетоэлектриках группы АУВУ1СУП.
2.4 Изменение симметрии и природа низкотемпературного фазового перехода в SbSl
У VT УП
2.5 Фазовые диаграммы сегнетоэлектриков группы А BJiC u 112 СВОДКА. РЕЗУЛЬТАТОВ ПО ГЛАВЕ 2.
ГЛАВА 3 ВЛИЯНИЕ ГВДРОСТАТИЧЕСКОГО ДАВЛЕНИЯ НА ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И СЕГНЕТОЭ ЛЕКТРИЧ ЕСККЕ СВОЙСТВА.
3.1 Диэлектрическая проницаемость, диэлектрические потери и коэрцитивное поле монокристаллов 6Ь<5»1.
3.2 Диэлектрические свойства примесных кристаллов и твердых растворов В^^Ц.^! . Особая точка
3.3 Сегнетоэлектрические свойства кристаллов 5Ъ51 и твердых растворов В^ЗЬ^-х^Х.
3.4 Диэлектрические и сегнетоэлектрические свойства твердых растворов Аэ^ь^ос^!.
3.5 Диэлектрические и сегнетоэлектрические свойства твердых растворов ЗЬБВгХ^,^ и <эЬ9еэс8лэс1.
3.6 Влияние гидростатического давления на мягкую моду в сегнетоэлектриках группы АУВУ*СУП. Параметр Грю~ найзена
СВОДКА РЕЗУЛЬТАТОВ ПО ГЛАВЕ
ГЛАВА 4 ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА
4.1 Край поглощения и оптические переходы в сегнето « электриках группы АУВУ*СУ^
4.1.1 Непрямые оптические переходы в ЪЬЗХ , ЪЬБВг и ВвВг.
4.1.2 Правило Урбаха и прямые оптические переходы в БЬБГ
4.2 Спектры отражения и зонная структура сегнетоэлектриков группы АУВУ1СУП
4.3 Влияние всестороннего сжатия на край поглощения, спектры отражения и зонную структуру сегнетоэлектриков группы АУВУ1СУП.
4.4 Оптическая анизотропия и показатели преломленияSbSl
4.5 Поляризация света в области фазового перехода. sbsl и структура сосуществующих фаз.
СВОДКА РЕЗУЛЬТАТОВ ПО ГЛАВЕ
ГЛАВА 5 ТРИКРИТИЧЕСКИЕ ТОЧКИ.
5.1 Диэлектрические свойства и трикритическая точка в
SbSl.
5.2 Оптические свойства вблизи трикритической точки
SbSl.
5.3 Структура сосуществующих фаз вблизи трикритической точки SbST.
5.4 Влияние гидростатического давления на эффект Керна-Харбеке в SbST.
5.5 Трикритические точки в сегнетоэлектрических твердых растворах группы АУВУ1СУП.
СВОДКА РЕЗУЛЬТАТОВ ПО ГЛАВЕ
ГЛАВА 6 СЕГНЕТОПОЛУПРОВОДНИКОВНЕ ТВЕРДЫЕ РАСТВОРЫ ГРУППЫ
ЛУВУ1СУП и ж ПРАКТИЧЕСКОЕ ИСПОЛЬЗОВАНИЕ
5.1 Влияния изоморфного замещения на температуру Кюри, диэлектрическую проницаемость, спонтанную поляризацию и ширину запрещенной зоны
6.2 Влияние концентрации примеси и гидростатического давления на фазовые переходы в сегнетоэлектриках группы
У УТ УП
6.3 А В" АС ( термодинамическое описание).
6.3 Влияние изоморфного замещения и гидростатического давления на свободную энергию твердых растворов группы АУВУ1СУП.
6.4 Влияние одноосной механической деформации на электропроводность и диэлектрическую проницаемость SbSl и ЫъЪЫъЫ.
6.5 Влияние изоморфного замещения и гидростатического давления на электро- и фотопроводимость ЭЬ51 и вЬсс-БЬ^в!
6.6 Полупроводниковый материал на основе твердых растворов
Bji.acSbi-3c.Sl для фотоприемников и резисторов, параметры которых не зависят от гидростатического давления.
6.7 Сегнетоэлектрический материал на основе твердого раствора Ь1о,оаЭЬо^Гдля емкостных датчиков гидростатического давления.
СВОДКА РЕЗУЛЬТАТОВ ПО ГЛАВЕ