Формирование и свойства границ раздела фоточувствительных структур на основе пленок халькогенидов свинца Бондоков, Роберт Цветанов

Краткое описание

Бондоков, Роберт Цветанов.
Формирование и свойства границ раздела фоточувствительных структур на основе пленок халькогенидов свинца : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10. - Санкт-Петербург, 1999. - 221 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Бондоков, Роберт Цветанов
ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ...,.,...,
ГЛАВА 1. ТЕХНОЛОГИЯ ВЫРАЩИВАНИЯ ПЛЕНОК ХАЛЬ-
КОГЕНИДОВ СВИНЦА ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЛЫ
1.1. Физико-химические и электрофизические свойства халькогенидов свинца
1.1.1. Физико-химические характеристики
1.1.2. Электрофизические характеристики
1.2. Выращивание тонких пленок халькогенидов свинца газофазными методами
1.2.1. Метод горячей стенки,
1.2.2. Метод мгновенного испарения
1.2.3. Выбор материала подложек и методика приготовления исходной шихты
1.3. Влияние технологических условий выращивания на структурное совершенство и электрофизические характеристики пленок халькогенидов свинца,
Выводы
ГЛАВА 2. МЕТОДИКИ ИССЛЕДОВАНИЯ СТРУКТУРНЫХ, ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ И ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПЛЕНОК РЬБ, РЬ8е, РЬТе И ПРИБОРОВ НА ИХ ОСНОВЕ...,
2.1. Методика проведения фазового анализа и исследования структурного совершенства пленок халькогенидов свинца
2.2. М етодика измерения эффекта Холла
2.2.1. Метод ЭДС Холла
2.2.2. Метод Ван дер Пау
2.3. Методика измерения коэффициента термо-ЭДС
2.4. Методика измерения фотоэлектрических и вольт-
амперных характеристик
Выводы
ГЛАВА 3. АНАЛИЗ ПРОЦЕССОВ, ПРОТЕКАЮЩИХ НА ГЕ-ТЕРОГРАНИЦЕ ПРИ ФОРМИРОВАНИИ ДВУХСЛОЙНЫХ СТРУКТУР РЬТе/РЬ8
3.1. Современное состояние вопросов, связанных с применением гетер о стр уктур на основе халькогенидов свинца
3/1. К Особенности электронных свойств сверхрешеток и
структур с многократными квантовыми ямами на основе узкозонных полупроводников
3.1.2. Исследования многослойных структур с квантово-размерными эффектами на основе соединений А'уВ'/!
3.1.3. Применение гетероструктур для создания И К - фотоприемников и излучателей
3.2. Расчет минизонного спектра сверхрешетки РЬТе/РЬБ методом огибающей функции
3.3. Выращивание двухслойных структур РЬТе/РЬБ методом горячей стенки. Профили распределения компонентов в гетероструктурах
3.4. Исследования электрофизических характеристик двухслойных структур РЬТе/РЬБ*
Выводы
ГЛАВА 4. ВЛИЯНИЕ СОСТОЯНИЯ ГРАНИЦЫ РАЗДЕЛА МЕТАЛЛ - ХАЛЬКОГЕНИД СВИНЦА НА ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА БАРЬЕРНЫХ СТРУКТУР
4.1. Современное состояние вопросов по структурам металл -
полупроводник на основе пленок халькогенцдов свинца
4.1.1. Кратка я классификация контактов металлг-полупроводник
4.1.2. Электрические и фотоэлектрические характеристики структур металл-полупроводник
4.2. Методика формирования структур металл-полупроводник
4.3. Влияние состояния поверхности на вольт-амперные и фотоэлектрические характеристики структур 1п/РЬТе и In/PbSe...,
4.3.1. Вольт-амперные характеристики контактов 1п-РЬТе
4.3.2. Фотоэлектрические характеристики структур
In/PbTe и In/PbSe
4.4. Особенности границы раздела in/>i-PbTe и построение модели работы структуры
4.4.1. Определение параметров вольт-амперных характеристик
4.4.2. Расчет физических параметров, характеризующих границу раздела,
4.4.3. Особенности вольт-амперных характеристик, обусловленные наличием инверсного слоя
4.4.4. Анализ механизмов токопротекания через контакт In/PbTe
4.5. Модель работы структуры In/PbTe. Построение качественной энергетической диаграммы
4.6. Обнаружительная способность структур In/PbTe
Выводы
ГЛАВА 5. ОСОБЕННОСТИ ФОРМИРОВАНИЯ И ХАРАКТЕРИСТИКИ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ СТРУКТУР
НА ОСНОВЕ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНОК ХАЛЬКОГЕНИДОВ СВИНЦА
5.1. Природа фоторезистовнгого эффекта в пленках на основе халькогенидов свинца
5.1.1. Использование явления самокомпенсации электрически активных примесей в РЬХ для полутения вы-сокоомных образцов..,,.„„„.,„.,„„„„.,„
5.1.2. Активапионный характер параметров фото чувствительности поликристаллических образцов. Модель Неустроева-Осипова
5.1.3. Взаимодействие поверхностей и границ раздела пленок с окружающей средой
5.2. Кинетика окисления на воздухе пленок халькогенидов свинца
5.3. Закономерности окисления пленок РЬЗе и РЬТе в контролируемых условиях
5.3.1. Методика проведения контролируемого отжига пленок халькогенидов свинца
5.3.2. Кинетика окисления пленок РЬ8е и РЬТе в контролируемых условиях,
5.4. Получение приемников и излучателей ИК-света на основе окисленных поликриталлических слоев нелегированного РЬБ
5.5. Получение фоторезистивных пленок теллурида свинца
без сенсибилизирующего отжига
5.6. Модель фото чувствительности поликристаллических пленок РЬТе как результат взаимодействия их поверхности с окружающей средой
Выводы
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА