Фотоэмиссионные исследования электронной структуры халькогенидных стеклообразных полупроводников Корнев, Константин Петрович

Краткое описание

Корнев, Константин Петрович.
Фотоэмиссионные исследования электронной структуры халькогенидных стеклообразных полупроводников : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10. - Ленинград, 1983. - 193 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Корнев, Константин Петрович
ВВЕДЕНИЕ.
ГЛАВА I. Халькогенидные стеклообразные полупроводники. Исследование плотности состояний и поверхностных свойств. 9
§ I.I. Энергетическая структура аморфных и стеклообразных полупроводников
§ 1.2. Методы изучения плотности состояний
§ 1.3. Исследование поверхности полупроводников фотоэмиссионными методами. Поверхностные свойства ХСП.
1.3.1. Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия и метод ЭСХА
1.3.2. Ультрафиолетовая фотоэлектронная спектроскопия
1.3.3. Поверхностные свойства ХСП
ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ I. Постановка задачи.
ГЛАВА П. Методика измерений . 46
§ 2.1. Выбор методики исследования ХСП
§ 2.2. Выбор анализатора энергий фотоэлектронов для исследования фотоэмиссии из ХСП
§ 2.3. Экспериментальная установка.
§ 2.4. Разрешение энергоанализатора типа сферического конденсатора с задерживающим полем.
2.4.1. Теоретический предел разрешения
2.4.2. Реальное разрешение энергоанализатора
- 3
2.4.3. Оценка работы энергоанализатора, используемого в установке
2.4.4. Экспериментальная проверка разрешения энергоанализатора
ГЛАВА Ш. Исследование плотности состояний вблизи вершины валентной зоны ХСП . 77
§ 3.1. Изготовление образцов для исследования плотности состояний
§ 3.2. Спектр плотности состояний у вершины валентной зоны ХСП системы Jls- Se-Т&
3.2.1. Теоретические основы расчета плотности состояний по результатам измерения фотоэмиссии.
3.2.2. Экспериментальное исследование плотности состояний в ХСП системыJs~Se~fe3Q
§ 3.3. Исследование плотности состояний при переходе от состава J^Sx^bV. составу
S6t2 Se3 в системе А$ -SfiSe.
§ 3.4. Плотность состояний у верхнего края валентной зоны трисульфида мышьяка . . . III
§ 3.5. Полученные результаты; обсуждение
ГЛАВА 1У. Фотоэмиссионные исследования состояния поверхности и фотоструктурных превращений в ХСП . 138-
§4.1. Исследование состояния поверхности стеклообразного Jsi Se3 после различных обработок: травление в щелочи, азотной кислоте, механическая шлифовка и полировка
4.1Л. Приготовление образцов
4.1.2. Фотоэмиссионные исследования поверхности
§ 4.2. Влияние окисления и действие органических растворителей на зарядовое состояние поверхности аморфных пленок
4.2.1. Приготовление образцов
4.2.2. Влияние обработок на состояние поверхности.
§ 4.3. Изменение состояния поверхности аморфных пленок jfej, Зз и пленок системы
Js ~Se при отжиге.
§ 4.4. Перераспределение плотности состояний при фотоструктурных превращениях
4.4.1. Приготовление образцов
4.4.2. Исследование плотности состояний методом УФЭС.
§ 4.5. Обсуждение результатов
4.5.1. Изменение состояния поверхности
4.5.2. Фотоструктурные превращения