Фотоиндуцированный парамагнетизм примесных центров в узкощелевых полупроводниках A IV B VI

Краткое описание

Волошок, Татьяна Николаевна.
Фотоиндуцированный парамагнетизм примесных центров в узкощелевых полупроводниках A IV B VI : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.09. - Москва, 2000. - 112 с.
Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Волошок, Татьяна Николаевна
Введение.
Глава I. Свойства РЬТе и Pb}.xSnxTe, обусловленные глубокими примесными центрами Ga я In.
§ 1Л. Кристаллическая структура, энергетический спектр и примесные состояния в полупроводниках AIVBVI.
1Л Л. Кристаллическая структура и энергетический спектр.
1.1.2. Собственные дефекты и примеси.
§1.2. Системы с отрицательной энергией взаимодействия электронов. Задержанная фотопроводимость.
1.2.1. Концепция отрицательной энергии Хаббарда.
1.2.2. Модели примесных центров в AiVBVi.
1.2.3. Влияние примесей на упругие свойства полупроводников AivByi.
§1.3. Магнитные свойства полупроводников AIVBVI.
1.3.1. Магнитная восприимчивость РЬТе и SnTe.
1.3.2.Магнитная восприимчивость Pb}.xSnxTe.
1.3.3.Магнитная восприимчивость РЬТе и РЪ¡.xSnxTe, легированных элементами III группы.
Краткие выводы и постановка задачи исследования.
Глава II. Экспериментальные методы исследований.
§ 2.1. Объекты исследования.
§ 2.2. Электрофизические измерения.
§ 2.3. Электромагнитное возбуждение ультразвука.
§ 2.4. Методы измерения магнитной восприимчивости.
Глава III. Метастабильные магнитные состояния
In и Ga в полупроводниках AIVBVi.
§3.1. Задержанная фотопроводимость в РЬо^по^Те:!!! и РЬТе:Оа.
§ 3.2. Аномалии упругих свойств РЬТе:Оа.
§ 3.3. Влияние примесей III группы на магнитную восприимчивость РЬТе и Pbo.75Sno.25Te.
§ 3.4. Модель фотоиндуцированного парамагнетизма примесных центров в узкощелевых полупроводниках.
Выводы.