Каталог / ФИЗИКО-МАТЕМАТИЧЕСКИЕ НАУКИ / Физика полупроводников
скачать файл: 
- Название:
- Инерционность междолинного перераспределения электронов в германии и кремнии Гинтилас, Шарунас Здиславович
- Альтернативное название:
- Inertia of intervalley redistribution of electrons in germanium and silicon Gintilas, Sharunas Zdislavovich
- Краткое описание:
- Гинтилас, Шарунас Здиславович.
Инерционность междолинного перераспределения электронов в германии и кремнии : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10. - Вильнюс, 1984. - 149 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Гинтилас, Шарунас Здиславович
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА I. РЕЛАКСАЦИЯ СИСТЕМЫ РАЗОГРЕТЫХ ЭЛЕКТРОНОВ В 6д
И 3/ (обзор литературы)
1.1. Инерционность релаксации импульса.
1.2. Инерционность релаксации энергии.
1.3. Инерционность меящолинного перераспределения
1.4. Характеристика электрон-фононного взаимодействия
1.5. Выводы и постановка задачи.
ГЛАВА 2. МЕТОДИКА ИССЛЕДОВАНИЙ.
2.1. Методика дифференциальной подвижности
2.2. Методика интегральной подвижности
2.2.1. Принцип измерения
2.2.2. Определение Етв полупроводнике по поступающей в тракт мощности.
2.2.3. Определение Ет в полупроводнике по абсорбированной образцом мощности.
2.3. Другие детали эксперимента.
ГЛАВА 3. ЧИСЛЕННОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ИНЕРЦИОННОСТИ МЩОЛИН
НОГО ПЕРЕРАСПРЕДЕЛЕНИЯ ЭЛЕКТРОНОВ В КРЕМНИИ
3.1. Методы расчета.
3.1.1. Метод Монте-Карло.
3.1.2. Итерационный метод.
3.2. Междолинная релаксация электронов в случае слабого разогрева.
3.3. Междолинная релаксация электронов в случае сильного разогрева.
ГЛАВА 4. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ИНЕРЦИОННОСТИ СОСТОЯНИЯ СИСТЕМЫ СВОБОДНЫХ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В УСЛОВИЯХ РАЗОГРЕВА
4.1. Инерционность при слабом разогреве.
4.1.1. Частотная зависимость коэффициента ос в
4.1.2. Влияние легирования на инерционность междолинного перераспределения электронов в кремнии.
4.1.3. Температурная зависимость времени междолинного перераспределения электронов в кремнии.
4.2. Инерционность в сильном постоянном и слабогреющем переменном электрических полях
4.2.1. Полевая зависимость ВЧ проводимости электронного кремния.
4.2.2. Количественный анализ результатов измерения
4.3. Частотная зависимость скорости диссипации энергии и заселенности долин в условиях сильного разогрева
4.3.1. Частотная зависимость скорости диссипации энергии
4.3.2. Перераспределение электронов между долинами в переменных электрических полях
4.4. Влияние многодолинности зоны проводимости на средний ток, протекающий через полупроводник при наличии постоянного и ВЧ полей
4.4.1. Определение мгновенных значений проводимости
4.4.2. Методика и результаты измерений.
ГЛАВА 5. ЭЛЕКТРОН-ФОНОННОЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ В n~Si . III
5.1. Модель электрон-фононного взаимодействия
5.2. Определение констант связи с низкоэнергетическими ^ -фононам и.
5.2.1. Анализ условий проявления рассеяния низкоэнергетическими р- -фононами.
5.2.2. Полевая зависимость шумовой температуры электронов в n-Si
5.3. Определение характеристик высокоэнергетического рассеяния.
- Стоимость доставки:
- 230.00 руб