Исследование неравновесных эффектов при легировании арсенида галлия в процессе жидкофазной эпитаксии Чикичев, Сергей Ильич

Краткое описание

Чикичев, Сергей Ильич.
Исследование неравновесных эффектов при легировании арсенида галлия в процессе жидкофазной эпитаксии : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.07. - Новосибирск, 1985. - 201 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Чикичев, Сергей Ильич
ГЛАВА I. МЕТОДЫ РАСЧЕТА РАВНОВЕСНЫХ КОЭ^ЩШТОВ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ПРИМЕСЕЙ.Б ПОЛУПРОВОДНИКАХ И МОДЕЛИ НЕРАВНОВЕСНОГО ЗАХВАТА ПРИМЕСНЫХ АТОМОВ РАСТУЩИМ"
КРИСТАЛЛОМ
§1.1. Основные понятия и проблемы теории и практики ростового легирования
§1.2. Методы расчета равновесных ко зфрици ент о в распределения примесей в полупроводниках
§1.3. Модельные представления о неравновесном захвате примесей при,росте кристаллов
ГЛАВА 2. ШСОКОТЕШЕРАОТШЙ ПЕРЕХОД МОТТА И ТЕШОДИНАМИ КА ЛЕГИРОВАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ.
§2.1. Эффекты экранирования и термодинамика ионизационных равновесий в полупроводниках
§2.2. Неадекватность классической схемы расчета равновесных коэффициентов распределения примесей в полупроводниках
ГЛАВА 3. НЕРАВНОВЕСНАЯ НЕСТЕХИШЕ1РИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНОГО АР
СЕНВДА ГАЛЛИЯ
§3.1. Неравновесный захват собственных точечных дефектов решетки при эпитаксии полупроводниковые соединений .'.
§3.2. Кинетика роста слоя при неизотермической жидкофаз-ной эпитаксии: точные результаты для случая диффузионного лимитирования.
§3.3. Расчет вакансионных профилей в растущем эпитаксиальном слое арсенида галлия
§3.4. Анизотропный захват двух собственных глубоких центров при жидкофазной эпитаксии арсенида галлия
ГЛАВА 4. ВЛИЯНИЕ ОРИЕНТАЦИИ ПОДЛОЖКИ НА ЗАХВАТ ПРШЕСЕЙ
ПРИ ЩКОЗАЗНОЯ ЗПИТАКСИИ АРСЕНВДА ГАЛЛИЯ. '
§4.1. Ориентационные эффекты, наблюдающиеся при легировании арсенида галлия мелкими примесями
§4.2. Особенности легирования арсенида галлия оловом при ;кидкофазной эпитаксии
ГЛАВА 5. НЕРАВНОЕЕСНЫй ЗАХВАТ ГЛУБОКИХ ПРИМЕСНЫХ ЦЕНТРОВ
ПРИ ВДКОЗАЗНОй ЗПИТАКСИИ АРСЕНЩА ГАЛЛИЯ.
§5.1. Современное состояние проблемы
§5.2. Удельное сопротивление арсенида галлия с глубокими центрами железа и хрома
§5.3. базовые равновесия в системах и
§5.4. Двойное легирование при жидкофазной эпитаксии по-луизолирущего арсенида галлия и кинетика захвата глубоких центров железа и хрома .'