Каталог / ФИЗИКО-МАТЕМАТИЧЕСКИЕ НАУКИ / Физика полупроводников
скачать файл: 
- Название:
- Исследование плёнок твёрдых растворов PbTe-SnTe, легированных индием, в области составов вблизи инверсии зон Ищенко Денис Вячеславович
- Альтернативное название:
- Study of films of solid solutions PbTe-SnTe doped with indium in the region of compositions near the inversion of zones Ishchenko Denis Vyacheslavovich
- ВУЗ:
- Ин-т физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН
- Краткое описание:
- Ищенко, Денис Вячеславович.
Исследование пленок твердых растворов PbTe-SeTe, легированных индием, в области составов, вблизи инверсии зон : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Ищенко Денис Вячеславович; [Место защиты: Ин-т физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН]. - Новосибирск, 2019. - 131 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат наук Ищенко Денис Вячеславович
ВВЕДЕНИЕ
Актуальность темы
Цели и задачи диссертации
ГЛАВА 1. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ
1.1. Основные свойства нелегированного РЫ-хЗпхТе
1.2. Свойства материала РЬБпТе, легированного индием
1.2.1. Переход в высокоомное состояние
1.2.2. Модель спонтанной диссоциации нейтральной примеси
1.2.3. Фоточувствительность и временная релаксация фотопроводимости
1.2.4. Модель долговременной релаксации фототока
1.2.5. Свойства РЫ-хЗпхТе в зависимости от содержания индия
1.2.6. Инжекционные токи в РЬ8пТе:1п. Энергетическое распределение ловушек в запрещённой зоне
1.3. Фотоприёмники на основе PbSnTe и PbSnTe:In
1.3.1. Фотоприёмники на основе PbSnTe
1.3.2. Фотоприёмники на основе PbSnTe:In
1.4. Выводы к главе
ГЛАВА 2. ОПИСАНИЕ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ МЕТОДИК
2.1. Получение образцов
2.2. Легирование индием
2.3. Определение состава образцов
2.4. Исследуемые образцы
2.5. Методы измерений
ГЛАВА 3. МОДЕЛЬ ЛЕГИРОВАННОГО ИНДИЕМ РВ1-х8ШТЕ. РАСЧЁТЫ И
СРАВНЕНИЕ С ЭКСПЕРИМЕНТОМ
3.1. Модель Pbl-xSnxTe
3.1.1. Основы предлагаемой модели Pbl-xSnxTe:In
3.1.2. PbSnTe:In как неупорядоченная система
3.2. Расчёты температурной зависимости концентраций носителей заряда при легировании РЫ-
xSnxTe индием
3.2.1. Расчёт температурной зависимости положения уровня Ферми и концентрации носителей заряда
3.3. Сравнение расчётов с экспериментальными данными
3.3.1. Температурные зависимости концентрации носителей заряда от содержания олова и индия
3.3.2. Сравнение экспериментальных данных с расчётами
3.3.3. Обсуждение результатов
3.4. Выводы к главе
ГЛАВА 4. РЕЛАКСАЦИОННЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ В PBi-XSNXTE, ЛЕГИРОВАННОМ ИНДИЕМ. РАСЧЁТЫ И ЭКСПЕРИМЕНТ
4.1. Расчёт времени жизни излучательной рекомбинации
4.2. Расчёт релаксации фототока
4.3. Мгновенное время жизни
4.4. Сравнение релаксационных характеристик с экспериментом
4.5. Выводы к главе
ГЛАВА 5. ПЕРСПЕКТИВЫ ПРИМЕНЕНИЯ ПЛЕНОК PBSNTE:IN С БОЛЬШИМ
СОДЕРЖАНИЕМ ОЛОВА В КАЧЕСТВЕ ФОТОПРИЕМНИКОВ
5.1. Определение чувствительности к дальнему ИК и ТГц диапазонам спектра
5.2. Определение мощности эквивалентной шуму
5.3. Влияние материала инжектирующих контактов на ВАХ плёнок
5.4. Выводы к главе
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
БЛАГОДАРНОСТИ
ПУБЛИКАЦИИ ПО ТЕМЕ ДИССЕРТАЦИИ
- Стоимость доставки:
- 230.00 руб