Исследование пробоя щелочно-галоидных кристаллов импульсами лазерного излучения лямбда=10,6 МКМ Крутякова, Валентина Павловна

Краткое описание

Крутякова, Валентина Павловна.
Исследование пробоя щелочно-галоидных кристаллов импульсами лазерного излучения лямбда=10,6 МКМ : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10. - Ленинград, 1984. - 175 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Крутякова, Валентина Павловна
ВВЕДЕНИЕ.
ГЛАВА I.СОВРЕМЕННЫЕ ПРЕДСТАВЛЕНИЯ О ПРИРОДЕ ОПТИЧЕСКОГО
ПРОБОЯ В ОБЪЕМЕ ТВЕРДЫХ ПРОЗРАЧНЫХ ДИЭЛЕКТРИКОВ
ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ).
ГЛАВА 2.МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА.
2.1.Установка для исследования рассеяния, свечения и структуры очагов разрушения при воздействии на щелочно-галоидные кристаллы импульсов лазерного излучения -Лг=Ю,6мкм.
2.1.1.Методика измерения рассеяния.
2.1.2.Me то дика исследования вспышек свечения.
2.1.3.Методика исследования структуры очагов разрушения.
2.2.Установка для измерения коэффициентов поглощения щелочно-галоидных кристаллов в области 10,6мкм калориметрическим методом.
2.3.Измерение фотолюминесценции щелочно-галоидных кристаллов.
2.4.Исследование состава и структуры поглощающих не-однородностей электронномикроскопическим методом.
2.5.Установка для исследования триболюминесценции щелочно-галоидных кристаллов.
2.6.Оценка концентрации и размеров поглощающих неоднородностей и порогов оптического пробоя.
ГЛАВА 3.ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ, СОПРОВОЖДАЮЩИХ ОПТИЧЕСКИЙ
ПРОБОЙ ЩЕЛОЧНО-ГАЛОИДНЫХ КРИСТАЛЛОВ ИМПУЛЬСАМИ ЛА
ЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ -А =10,6 МКМ.
3.1.Сопоставление оптических характеристик щелочно-галоидных кристаллов с порогами оптического пробоя в области Юмкм.
3.1.1.Поглощение в области 10,6мкм.
3.1.2. Фо толюминесценция.
3.1.3.Пороги пробоя и концентрация поглощающих неодно родностей.
3.2.Влияние центров окраски на оптические свойства и пороги пробоя щелочно-галоидных кристаллов в области 10,6мкм.
3.3.Исследование структуры очагов разрушения и кинетики свечения щелочно-галоидных кристаллов при воздействии импульсов лазерного излучения a s=I0,6mkm.
3.4.Сопоставление кинетики роста рассеяния и интенсивности свечения в щелочно-галоидных кристаллах при воздействии импульсов лазерного излучения А =10,6мкм.
3.5.Исследование скорости роста очагов микроразруше^ ний в щелочно-галоидных кристаллах при воздействии импульсов лазерного излучения А «Ю.бмкм.
Выводы к главе 3.
ШВА 4.ИССЛЕДОВАНИЕ ПРИРОДЫ И СОСТАВА ПОГЛОЩАЮЩИХ НЕ0ДН0
Р0ДН0СТЕЙ В ЩЕЛОЧНО-ГАЛОИДНЫХ КРИСТАЛЛАХ.
4.1.Исследование структуры и состава поглощающих неоднородноетей в щелочно-галоидных кристаллах электронномикроскопическим методом.
4.2.Анализ спектральных зависимостей вспышек свечения в объеме щелочно-галоидных кристаллов при воздействии импульсов лазерного излучения
A s=I0,бмкм. НО
Выводы к главе 4.
ШВА 5.ИССЛЕДОВАНИЕ ТРИБОЛКМИНЕСЦЕНЦИИ ЩЕЛ0ЧН0-ГАЛ0ИДНЫХ
КРИСТАЛЛОВ.
5.1.Исследование спектра триболюминесценции
5.2.Кинетика вспышек триболюминесценции в различных областях спектра.
5.3.Локализация свечения различного спектрального состава при триболюминесценции Afo Сб.
Выводы к главе 5.