Исследование процессов роста гетерокомпозиций Si1-x Ge x /Si(100) из сублимирующего источника Si и молекулярного потока GeH4 Потапов, Александр Васильевич

Краткое описание

Потапов, Александр Васильевич.
Исследование процессов роста гетерокомпозиций Si1-x Ge x /Si(100) из сублимирующего источника Si и молекулярного потока GeH4 : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.07. - Нижний Новгород, 1999. - 155 с.
Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Потапов, Александр Васильевич
СОДЕРЖАНИЕ
Введение
Глава 1. Проблема гетероэпитаксии релаксированных Si-Ge слоев
на Si и Ge (современное состояние)
§ 1.1. Введение
§ 1.2. Рост слоев Si, Ge и твердых растворов Sii_xGex из газовой фазы
§1.3. Поверхностные процессы в гидридной эпитаксии
германия и кремния
§ 1.4. Моделирование кинетики роста слоев Si¡.xGex
в гидридной технологии
§ 1.5. Режимы роста Ge и Si пленок при гомо- и гетероэпитаксии
§ 1.6; Упругие напряжения и дефектообразование в гетеросистемах
на основе Ge и Si
Глава 2. Стационарная кинетика роста слоев Si].xGex из атомарного
потока Si и молекулярного потока GeH4
§ 2.1. Введение
§ 2.2. Общая характеристика зависимостей состава и скорости роста
слоев от основных технологических параметров
§ 2.3. Модель кинетики роста Si-Ge слоев в методе Si-GeKU-Mro
§ 2.4. Определение параметров модели
§ 2.5. Стационарная кинетика роста
§ 2.6. Основные результаты
Глава 3. Нестационарные процессы роста Si-Ge гетерокомпозиций,
растущих из атомарного потока Si и молекулярного потока GetU
§3.1. Введение
§ 3.2. Переходные процессы на поверхности роста и распределение С1е на гетеропереходе 8н.хС1сх/8и растущего из сублимирующего источника
Si и молекулярного потока GeH4
§ 3.3. Островковый рост и самоорганизация при зарождении пленки Ge, растущей из GeH4
§ 3.4. Основные результаты
Глава 4. Структурные свойства релаксированных Si-Ge слоев, выращенных из атомарного потока Si и молекулярного потока GeH4 на подложках Si(100)
§4.1. Введение
§ 4.2. Реальная структура слоев Sii-xGex и сверхрешеток [Sii.xGex/Ge], выращенных на Si(100), и распределение Ge в них
§ 4.3. Остаточные упругие деформации в слоях Sij.xGex и
сверхрешетках [Sii_xGex/Ge], выращенных на Si(100)
§ 4.4. Закономерности и механизмы дефектообразования в гетероструктурах Sii-xGex/Si(100)
§ 4.5. Основные результаты
Заключение
Литература
Приложения
Приложение 1. Определение плотности потока атомов кремния, получаемого путем сублимации
Приложение 2. Программа численного моделирования кинетики роста слоев Sii_xGex из атомарных потоков Si и Ge
из молекулярных потоков SÍH4, GeH4, SÍ2H6 и ОегНб