Исследование синтеза монокристаллических пленок системы кремний-фосфид галлия в вакууме Бзинковская, Ирина Сигизмундовна

Краткое описание

Бзинковская, Ирина Сигизмундовна.
Исследование синтеза монокристаллических пленок системы кремний-фосфид галлия в вакууме : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.07. - Новосибирск, 1983. - 156 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Бзинковская, Ирина Сигизмундовна
Введение
ГЛАВА I. СВОЙСТВА, ПРИМЕНЕНИЕ И ОСОБЕННОСТИ ПОЛУЧЕНИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК ФОСФИДА ГАЛЛИЯ. Ю
§ I. Свойства и использование тонких пленок
GaP (обзор литературы). ю
§ 2. Основные результаты исследований по синтезу пленок фосфида галлия на кремнии, фосфиде галлия и сапфире.
2.1. Методы получения тонких пленок фосфида галлия.
2.2. Условия формирования пленок с заданными свойствами.
2.2.1. Требования к поверхности роста.
2.2.2. Роль остаточной среды.
2.3. Очистка поверхностей подложки и источника перед конденсацией пленок.
§ 3. Обоснование выбора метода синтеза тонких эпитаксиальных пленок и постановка задачи.
ГЛАВА П. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА.
§ I. Особенности технологии метода вакуумной конденсации.
1.1. Техника вакуумной конденсации.
1.2. Условия синтеза пленок фосфида галлия.
1.3. Устройства для нонденсации эпитаксиальных структур на основе GaP} Si » сапфира.
§ 2. Предэпитаксиальная подготовка подложек.
2.1. Выбор материала.
2.2. Подготовка источников и подложек.
2.3. Контроль температуры.
§ 3. Создание рабочих структур.
§ 4. Электронографические, оптические и электрофизические методы измерений параметров исследуемых струн тур.