Исследование влияния дефектов решетки на свойства монокристаллов CdSiAs2 Мамедов, Амандурды

Краткое описание

Мамедов, Амандурды.
Исследование влияния дефектов решетки на свойства монокристаллов CdSiAs2 : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10. - Ашхабад, 1984. - 214 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Мамедов, Амандурды
введение.
1. физика и химия тройного соединения Cc/SzAs2 (обзор литературы).
1.1. Кристаллическая структура соединений А^В^С^
1.2. Исследования зонной структуры кристаллического
Cc/SzAs^.
1.3. Исследование явлений переноса носителей заряда в CcfSiA$2.
1.4. Исследования электрически активных дефектов решетки.
1.5. Фоточувствительность и рекомбинация носителей заряда.
1.6. Постановка задачи.,.
2. методика жсперимента.
2.1. Метод получения монокристаллов соединения CdSiA$2 из раствора в расплаве.
2.2. Методика термообработки кристаллов.
2.3. Подготовка образцов к измерениям.
2.4. Методика измерения кинетических коэффициентов
2.5. Методика измерения спектров фотопроводимости.
2.6. Методика исследования излучательной рекомбинации.
3. исследование взаимосвязи электрических свойств и условий легирования соединения Cc/St'A$2.
3.1. Электрические свойства специально не легированных монокристаллов р- Сс/<$гА$2.
3.1.1. Энергетический спектр уровней акцепторов.
3.1.2. Механизм рассеяния дырок.
3.2. Электрические свойства монокристаллов р-типа, легированных химическими примесями.
3.2.1. Исследование температурных зависимостей кинетических коэффициентов.
3.2.2. Температурная зависимость холловской подвижности дырок.
3.2.3. Энергетический спектр дырок в легированных посторонними химическими примесями кристаллах.
3.2.4. Легирование тетраэдрических стекол.
3.3. Исследование поведения радиационных дефектов в кристаллах Co/3iAs2 и ZnSiA$2.
3.3.1. Электрические свойства кристаллов р- Cc/SiA$ и р-Zn<SiA$2, облученных электронами.
3.3.2. Электрические свойства кристаллов р- Co/Si As и облученных протонами.
3.3.3. Закономерности поведения радиационных дефектов в соединениях Co/SiAs2 и ZnSiAs2.
3.4. Влияние равновесия кристалл-пар на электрические свойства кристаллов Cc/SiAs2.
3.4.1. Условия термодинамического равновесия. ЮЗ
3.4.2. Экспериментальные результаты термообработки.
3.4.2.1. Термообработка в условиях минимального свободного объема.
3.4.2.2. Термообработка в насыщенных парах мышьяка. Ю
3.4.2.3. Термообработка в насыщенных парах кадмия.
3.4.2.4. Термообработка в условиях минимального общего давления.
3.4.2.5. Термообработка в присутствии чистого индия. Ю
3.4.3. Электрические свойства слоев Cc/SiAs2 /7-типа проводимости. ПО
3.4.4. Обсуждение результатов термообработки Cc/Si'As2 jj
Краткие выводы по главе 3.
4. ИССЛЕДОВАНИЯ ФОТО ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ И Ш.ШНЕСЦЕНТНЫХ СВОЙСТВ МОНОКРИСТАЛЛОВ CcfSiAs2.
4.1. Фотоэлектрические свойства монокристаллов р-типа проводимости, выращенных без легирующих примесей.
4.1.1. Характеристика исследованных образцов.
4.1.2. Исследования фоточувствительности в зависимости от концентрации дырок в образцах.
4.2. Изучение влияния термообработки кристаллов р-типа в различных условиях.
4.2.1. Спектры фотопроводимости кристаллов р-типа проводимости.
4.2.2. Спектры фотопроводимости слоев 77-типа проводимости.
4.3. Фотоэлектрические свойства монокристаллов р-типа, однородно легированных примесями в процессе выращивания.
4.3.1. Характеристика исследованных образцов.
4.3.2. Спектры фоточувствительности Cc/SiAs^ зависимости от природы легирующих примесей.
4.3.3. Влияние легирования на параметры фотопроводимости Cc/SiAs2.
4.4. Исследования анизотропии фотоактивного поглощения монокристаллов Cc/Si'Asp.
4.4.1. Фотопроводимость специально не легированных кристаллов.Т
4.4.2. Фотопроводимость однородно легированных примесями кристаллов.
4.5. Рекомбинационное излучение (РИ) монокристаллов р-типа проводимости,выращенных без легирующих примесей.
4.5.1. Характеристика исследованных кристаллов.
4.5.2. Исследование температурных зависимостей спектров
4.6. Исследование РИ в зависимости от отклонении состава Cc/SiA$2 от стехиометрии.
4.7. Рекомбинационное излучение монокристаллов CdSiAs2 р-типа проводимости, однородно легированных примесями в процессе выращивания.
4.7.1. Характеристика исследованных образцов.
4.7.2. Исследования спектров РИ.
4.8. Исследование рекомбинационного излучения слоев
4.9. Исследование анизотропии РИ Cc/SiAs^.
Краткие выводы по главе 4.