Изучение на атомарном уровне реакций взаимодействия точечных дефектов с ядром краевой дислокации Туркебаев, Толеу Эдыгенович

Краткое описание

Туркебаев, Толеу Эдыгенович.
Изучение на атомарном уровне реакций взаимодействия точечных дефектов с ядром краевой дислокации : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.07. - Алма-Ата, 1985. - 172 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Туркебаев, Толеу Эдыгенович
В В Е Д Е Н И Е.
Глава I. РЕАКЦИИ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ С ДИСЛОКАЦИЯМИ И ИХ РОЛЬ В ПРОЦЕССАХ РАДИАЦИОННО-СТИМУЛИРО-ВАННОЙ ДЕФОРМАЦИИ (ОБЗОР).
1.1. Явления радиационно-стимулированной ползучести и распухания (общая характеристика).
1.2. Теоретические модели радиационно-стимулированной деформации.
1.3. Основная, модель радиационно-стимулированной деформации (модель теории скоростей).
1.3.1. Радиационное распухание (континуальное рассмотрение).
1.3.2. Радиационная ползучесть.
1.4. Изучение взаимодействия точечных дефектов с краевыми дислокациями методами машинного моделирования.
1.5. Выводы и постановка задачи.
Глава 2. МЕТОДИКА РАСЧЕТОВ.
2.1. Общая схема метода молекулярной динамики для расчета взаимодействия точечных дефектов с дислокацией.
2.2. Процедура вычислений.
2.3. Построение начальных конфигураций атомов кристаллита при изучении реакций взаимодействия! дислокации с точечными дефектами.
2.3*1. Построение кристаллита, содержащего точечный дефект.
2.3.2. Построение кристаллита, содержащего дислокацию.
2.3.3. Способы формирования точечного дефекта в окрестности ядра дислокации.
2.4. Расчет энергий связи дислокации с точечными дефектами и определение зон спонтанного захвата точечных дефектов.
2.5. Описание пакета подпрограмм "ACTION".
2.6. Тестовые расчеты.
Глава 3. РЕАКЦИИ ВЗШЮДЕЙСТВШ ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ С ЯДРОМ
КРАЕВОЙ, ДИСЛОКАЦИИ В НЕНАГРУЖЕННЫГ КРИСТАЛЛАХ. .'
3.1. Расчет энергии связи комплекса дислокация-точечный дефект и зон спонтанного захвата точечных дефектов дислокацией.
3.1.1. Взаимодействие дислокации с межузельной "гантелью" р:Г0]
3.1.2. Взаимодействие дислокации с вакансией.
3.2. Механизмы захвата точечных дефектов дислокацией.
3.3.- Влияние ориентировки межузельных атомов на их.реак ции взаимодействия с краевой дислокацией.
3.4. Влияние конфигурации межузельных атомов на их реакции взаимодействия, с дислокацией, атомные перестройки межузельных атомов вне зоны спонтанного захвата
3.5. Использование результатов машинного моделирования преимущественного захвата межузельных атомов при вычислении скорости распухания.
Глава 4. РЕАКЦИИ ВЗШЮДЕЙСТВШ ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ С ЯДРОМ
КРАЕВОЙ ДИСЛОКАЦИИ В НАГРУЖЕННЫХ КРИСТАЛЛАХ.'.
4.1. Введение одноосных напряжений в расчетную модель.
4.2. Влияние ориентировки внешнего напряжения на взаимодействие точечных дефектов с краевой дислокацией.
4.3. Влияние уровня напряжения на взаимодействие точечных дефектов с краевой дислокацией.
4.4. Использование результатов машинного моделирования при вычислении скорости радиационной ползучести.