Контактные явления в тонкопленочных структурах на основе аморфных As2S3 и Sb2S3 Симашкевич, Андрей Алексеевич

Краткое описание

Симашкевич, Андрей Алексеевич.
Контактные явления в тонкопленочных структурах на основе аморфных As2S3 и Sb2S3 : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10. - Кишинев, 1984. - 226 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Симашкевич, Андрей Алексеевич
ВВЕДЕНИЕ
Глава I. Контактные явления в структурах на основе халь-когенвдных стеклообразных полупроводников. (Обзор литературных данных).
1.1. Электрические свойства сульфида мышьяка и сульфвда сурьмы.
1.2. Контактные явления на границе ХСП-металл.
1.3. Гетеропереходы и гетероструктуры на основе ЖП.
1.3.1 Общие положения.
1.3.2 Кристалл аЩ^-ХСП.
1.3.3 Кристаллический кремний - ХСП.
1.3.4 ЖП-ЖП.
1.4. Выводы и постановка задачи.
Глава П. Технология получения слоев и гетероструктур на основе ЖП.
2.1. Получение слоев и гетероструктур на основе ХСП.
2.2. Аппаратура и медики измерений.
Глава Ш. Электрические и фотоэлектрические характеристики контакта металл-аморфный полупроводник.
3.1. Модель структуры с двойной обедненной областью.
3.2. Вольт-амперные характеристики.
3.3. Емкостные характеристики.
3.3.1 Зависимость емкости структуры от частоты
3.3.2 Зависимость емкости структуры от температуры
3.3.3 Зависимость емкости от напряжения смещения вольт-фарадные характеристики).
3.4. Фото-эдс на контактшх барьерах структур
М-ХСД.
3.5. Обсуждение результатов. III
Выводы по главе
Глава JJ, Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур ХСП-ЖП.
4.1. Пленочные гетероструктуры в системах записи информации.
4.2. Построение энергетической диаграммы гетероструктуры
4.3. Экспериментальные результаты и их обсуздение.
4.3.1 Фото-эдс
4.3.2 Спектры фототока
4.3.3 Нестационарный инжекционный ток в гетерострук-турах.
4.3.4 Вольт-амперные характеристики
4.3.5 Вольт-фарадные характеристики.