Куракін Андрій Михайлович. Радіаційні ефекти в польових транзисторах на базі гетеропереходів AlGaN/ GaN

Краткое описание

Куракін Андрій Михайлович. Радіаційні ефекти в польових транзисторах на базі гетеропереходів AlGaN/ GaN : дис... канд. техн. наук: 05.27.06 / НАН України; Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова. - К., 2006
Куракін А.М. Радіаційні ефекти в польових транзисторах на базі гетеропереходів AlGaN/GaN. Рукопис.
Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата технічних наук за спеціальністю 05.27.06 технологія, обладнання та виробництво електронної техніки. Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН Україна, Київ, 2005.
В роботі представлено результати дослідження дії гамма-радіації на параметри і характеристики приладних структур на базі гетеропеходу AlGaN/GaN. За експериментальними вольт-амперними характеристиками детально проаналізовано деградацію основних операційних параметрів (струмів насичення, напруги відсічки, крутизни) тразисторів з високою рухливістю носіїв в каналі (НЕМТ), з широною каналу від 100 до 400 мкм і довжиною затвору від 0.15 до 0.35 мкм, під впливом доз опромінення до 2108Рад. Розглянуто процеси, що перебігать під впливом радіації до зальної дози 2109Рад в контактній металізації Шотткі контактів Au-Ni-GaN і Au-ZrB2-AlGaN/GaN за даними проведених структурних досліджень. Не дивлячись на прогнозовану високу стійкість приладів на базі матеріалів нітридної группи встановлено значну (до 40 %) деградацію основних параметрів транзисторів, виявлено складний характер стимульованої деградації НЕМТ (спостережено залежність ефектів від геометричних розмірів транзисторних структур і робочих умов). Фізичні причини радіаціного старіння тестових структур проаналізовано з урахуванням можливої релаксації механічних напруг бар’єрного шару AlGaN, а також стимульованих межфазних реакцій і зернограничної дифузії в контакній металізації.