Локальный сенсор электрического поля на основе транзистора с каналом-нанопроводом Божьев Иван Вячеславович

Краткое описание

Божьев,ИванВячеславович.Локальныйсенсорэлектрическогополянаосноветранзисторасканалом-нанопроводом: диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.04 /БожьевИванВячеславович; [Место защиты: ФГБОУ ВО «Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова»]. - Москва, 2021. - 99 с. : ил.больше
Цитаты из текста:

стр. 1
МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ имени М.В. ЛОМОНОСОВА ФИЗИЧЕСКИЙ ФАКУЛЬТЕТ На правах рукописиБожьевИванВячеславовичЛОКАЛЬНЫЙСЕНСОРЭЛЕКТРИЧЕСКОГОПОЛЯНАОСНОВЕТРАНЗИСТОРАСКАНАЛОМ-НАНОПРОВОДОМ01.04.04 —физическая электроника ДИССЕРТАЦИЯ на соискание учёной степени кандидата физико-математических

стр. 2
. . . 11 1.1 Зондовые методики детектированияэлектрическогополя. . . . . . 11 1.2 Методы формированиятранзисторовсканалом-нанопроводом. . . 21 1.3 Теоретические оценки чувствительностилокальногополевого зонда наосновекремниевогонанопровода. . . . . . . . . . . . . . 23 Глава 2. Изготовление

стр. 64
электрическогополя. В связи с этим, при использованиитранзисторовсканалом-нанопроводомв роли высокочувствительныхсенсоровэлектрическогополяи заряда для измеренияэлектрическиххарактеристик нанообъектов, представляется важным поиск способов минимизации собственных шумовтранзистора, а также определение

Оглавление диссертациикандидат наук Божьев Иван Вячеславович
Введение
Глава 1. Обзор литературы
1.1 Зондовые методики детектирования электрического поля
1.2 Методы формирования транзисторов с каналом-нанопроводом
1.3 Теоретические оценки чувствительности локального полевого
зонда на основе кремниевого нанопровода
Глава 2. Изготовление локального полевого зонда
2.1 Изготовление нанопровода из неравномерно легированного КНИ
2.2 Нанопровода с металлическими контактами без дополнительного легирования КНИ
2.3 Проблемы, возникающие при проведении литографии на углу чипа
2.4 Метод контролируемого разлома кристалла
2.5 Усовершенствование метода контролируемого разлома кристалла
2.6 Крепление чипа к камертону
2.7 Изготовление тестовых структур для отработки методики сканирования
2.8 Выводы к главе
Глава 3. Изучение транспортных и шумовых характеристик
транзисторов. Исследование поверхностей разработанным
зондом
3.1 Система для измерений электрических характеристик транзисторов
3.2 Измерение семейства транспортных и шумовых характеристик нанотранзисторов. Определение рабочих областей параметров транзисторов с максимальной чувствительностью
3.3 Сканирование поверхности разработанным зондом
3.4 Особенности сканирования
3.5 Пространственное и полевое разрешение
3.6 Синхронное детектирование
3.7 Метод зарегистрации сигнала от источников электрического
поля, скрытых в толще диэлектрика
3.8 Выводы к главе
Заключение
Публикации автора по теме диссертации
Список литературы