Магнитооптика и экситонное поглощение в тонких кристаллах и гетероструктурах на основе арсенида галлия Лукьянова, Наталья Владимировна

Краткое описание

Лукьянова, Наталья Владимировна.
Магнитооптика и экситонное поглощение в тонких кристаллах и гетероструктурах на основе арсенида галлия : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10. - Санкт-Петербург, 1999. - 186 с.
Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Лукьянова, Наталья Владимировна
Оглавление
Введение
Глава!. Аналитический обзор литературы.
1.1Экситоны в ваАз, экситонный поляритон
1.20сциллирующее поглощение, диамагнитные экситоны и зонная структура объемных кристаллов ОаАБ
1 .ЗКвантовые ямы с ваАз, квантоворазмерные уровни энергии и 2D
экситоны
1.40сциллирующее поглощение квантовых ям. Магнитное поле и 20-
структуры
Глава 2. Техника экспериментально исследования.
2.1 Образцы, методика их приготовления. Эффекты,
связанные с малой толщиной образцов
2.2 Магнито-спектроскопическая установка
2.3 Получение спектров поглощения из спектров пропускания и оценка физической толщины образца
2.4 Контурный анализ и обработка спектров на ЭВМ
Заключение по второй главе
Глава 3. Экспериментальные результаты.
3.1 Край поглощения "доквантовых" образцов и квантовых ям. Зависимость спектров от состояния образца
3.2 Магнитопоглощение "доквантового" ваАз в широком спектральном диапазоне
3.3 Магнитопоглощение М^Щ^, конфигурация Фарадея
3.4 Магнитопоглощение конфигурация Фохта
3.5 Температурные зависимости спектров дискретного экситонного поглощения в квантовой яме
Заключение но третьей главе
Глава 4. Анализ оптических, магнитооптических и температурных
данных.
4.1 Спин-орбитально отщепленная валентная зона GaAs
4.2 Непараболичность зоны проводимости для структуры
с квантовыми ямами и объемного GaAs
4.3 Магнитооптические осцилляции и эффект Фано
4.4 Поглощение в увеличенных барьерах GaAs гетероструктур с многочисленными квантовыми ямами и интерфейсами,
не имеющими поверхностного электрического поля
4.5 Экситон-поляритонное поведение края поглощения
тонких кристаллов GaAs "доквантовой" толщины
4.6 Температурное уширение экситонных линий поглощения
и поляритонные процессы в квантовых ямах (In,Ga)As/GaAs
Заключение по четвертой главе
Заключение: основные результаты, параметры GaAs,
вычисленные и уточненные в работе
Список литературы