Метод расчета и моделирования функциональных схем Шигапов, Зинатулла Гамирович

Краткое описание

Шигапов, Зинатулла Гамирович.
Метод расчета и моделирования функциональных схем : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10. - Москва, 1984. - 160 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Шигапов, Зинатулла Гамирович
Стр.,
ВВЕДЕНИЕ. L
ГЛАВА I. ( ОБЗОР )
§ I.I. Функциональные схемы о объемной связью.
§ 1,2. Зарядовая концепция.
§ 1.3. Метод заряда для расчета статических и динамических характеристик в транзисторе
§ 1.4. Модели компонентов для машинного проектирования функциональных схем.
ГЛАВА П. ХАРАКТЕРИСТИКИ ОДНОМЕРНЫХ (ПАССИВНЫХ) ЭЛЕМЕНТОВ.
ВВЕДЕНИЕ.
§ 2.1. Обоснование необходимости модификации метода заряда.
§ 2.2. Анализ диодов с сильно легированными базами.
§ 2,3. Анализ диодов с высокоомной базой.
§ 2.4. Эффект отрицательного дифференциального сопротивления в диоде Шоттки.
§ 2.5. Полупроводниковый прибор - элемент управляемый градиентом заряда.
ГЛАВА Ш. СТАТИСТИЧЕСКИЕ И ДИНАМИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ДВУМЕРНЫХ (АКТИВНЫХ) ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ СХЕМ С ПЛАЗМЕННОЙ' СВЯЗЬЮ.
ВВЕДЕНИЙ.
§ 3.1. Функциональное разбиение и модель функциональных схем с квазидвумерной структурой.
§ 3.2. Элемент считывания на модуляционных транзисторах с плазменной связью.
§ 3.3. Статистические и динамические характе-- ристики квазигоризонтального биполярного транзистора.
§ 3.4. Статистические и динамические характеристики горизонтальных структур с перехватом тока. Ю?
§ 3.5. Приборы с плазменной связью на модуляционных транзисторах. П
ГЛАВА 1У. МОДЕЛИРОВАНИЕ ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ СХЕМ С
ПЛАЗМЕННОЙ СВЯЗНО.
ВВЕДЕНИЕ.
§ 4.1. Зарядоуправляемая модель горизонтального транзистора.
§ 4.2. Модель элемента плазменной связи на модуляционных транзисторах.