Накопление и преобразование ассоциаций галогена при облучении рентгеновскими лучами кристаллов KBr при 4,2-400К Акилбеков, Абдираш Тасанович

Краткое описание

Акилбеков, Абдираш Тасанович.
Накопление и преобразование ассоциаций галогена при облучении рентгеновскими лучами кристаллов KBr при 4,2-400К : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.07. - Тарту, 1985. - 205 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Акилбеков, Абдираш Тасанович
Лист сокращений и обозначений, употребляемых в диссертации . g
ВВЕДЕНИЕ
Глава I. НАКОПЛЕНИЕ УСТОЙЧИВЫХ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ В ЩГК КАК РЕЗУЛЬТАТ СУПЕРПОЗИЦИИ РАЗНОНАПРАВЛЕННЫХ ФИЗИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ (Обзор литературных данных) .J
1.1. Создание радиационных дефектов в ЩГК и зависимость этого процесса от температуры облучения ионизирующей радиацией.J
1.1.1. Создание дефектов при кратковременном облучении (имцульсное облучение)
1.1.2. Накопление дефектов при продолжительном облучении (непрерывное облучение)
1.2. Явления, приводящие к накоплению, разрушению и преобразованию дефектов во время продолжительного облучения ионизирующей радиацией .•••.•••,•••«.•».••.•.
1.2.1. Механизм создания И -пар и разделение компонент
1.2.2. Стабилизация подвижных междоузельных дефектов .••.••.•••••«*••••••.••»••
1.2.3. Радиационное разрушение и радиационное преобразование дефектов.
Глава 2. ОБЪЕКТЫ И МЕТОДИКА ИССЛЕДОВАНИЯ
2,1» Основные методические приемы, использованные в работе.
2,2, Объекты исследования и экспериментальная установка .••*.•••.••••«.••.••.•.,••.
2.2.1. Объекты исследования
2.2.2, Экспериментальная установка
Глава 3, СОЗДАНИЕ И РАЗРУШЕНИЕ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ В ЩГК В ПРОЦЕССЕ ПРОДОЛЖИТЕЛЬНОГО ОБЛУЧЕНИЯ РЛ В ОБЛАСТИ ТЕМПЕРАТУР 4,2-400 К.
3.1. Область температур 4,2-80 К
3.1.1. Зависимость эффективности накопления при 4,2 К радиационных дефектов в Kßr от наличия примесей и других несовершенств кристаллической структуры
3.1.2. Зависимость эффективности накопления различных радиационных дефектов от температуры (4,2-80 К) и от поглощенной дозы
3.2. Область температур 80-400 К.
3.2.1. Зависимость эффективности создания
F Xg-центров и более крупных ас-социатов галогена от температуры облучения РЛ . ОТ
3.2.2. Зависимость эффективности радиационного разрушения Х^-центров от температуры облучения РЛ (200-320 К)
3.3. Конкретный ход зависимости в области температур 4,2-320 К как функция поглощенной дозы
3.3.1. Спад ^ в области температур
10-30 К
3.3.2. Подъем ^ в области температур
80-160 К.
3.3.3. Спад Ч| в области температур
240-320 К . Ю
3.3.4. Обобщенная схема зависимости выживания радиационных дефектов в ¡СВ>у при продолжительном облучении РЛ при 4,2-400 К . Ш
Глава 4. ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА И СТРУКТУРА ПАРНЫХ АССОЦИАЦИЙ МЕВДОУЗЕЛЬНОГО ГАЛОГЕНА - ДИ-Н-ЦЕНТ-РОВ
4.1. Ди-Н-центры в КВг , основной структурной единицей которых является Вг^-ион . ^^
4.1.1. Свойства Ъг^ -центров в КВг-Ы и К&г-Бг
4.1.2. Свойства Вг^ -центров в чистом
4.2. Другие варианты ди-Н-центров в КВг
4.3. Структура ди-Н-центров и начальные этапы агрегации междоузельного галогена в
К.6>г
4.3.1. Ьгз -центры в Cbr-Ll
4.3.2. Вг^ -центры в К&г- $г.
4.3.3. Ьу5 -центры в чистом КВг
4.3.4. Специфические особенности дефектооб-разования при облучении РЛ в разных областях температур
4.3.5. Ди-Н-центры, возникающие при термическом отжиге облученного кристалла
4.3.6. Ди-Н-центры, возникающие при импульсном облучении.
4.3.7. Агрегация междоузельного галогена в КВ>г . Х