Неустойчивость дебаевских слоев и ее влияние на распределение плазменных параметров при взаимодействии плазмы с сильно-эмитирующей поверхностью Кирнев, Геннадий Степанович

Краткое описание

Кирнев, Геннадий Степанович.
Неустойчивость дебаевских слоев и ее влияние на распределение плазменных параметров при взаимодействии плазмы с сильно-эмитирующей поверхностью : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.08. - Москва, 1998. - 172 с.
Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Кирнев, Геннадий Степанович
Введение.
Глава 1. Литературный обзор.
1.1. Особенности поведения пристеночной плазмы.
1.1.1. Вводные замечания.
1.1.2. Роль электростатических и магнитных флуктуаций в усилении аномального переноса.
1.1.3. Механизмы турбулентности пристеночной плазмы.
1.2. Модификация турбулентности периферийной плазмы.
1.2.1. Роль радиального электрического поля в режимах улучшенного удержания.
1.2.2. Формирование электрических полей в периферийной плазме.
1.3. О влиянии повышенной электронной эмиссии на параметры пристеночной плазмы и их уровень флуктуаций.
1.3.1. Образование диэлектрических покрытий на поверхностях внутренних конструкционных элементов ТЯУ.
1.3.2. Влияние вторичной электронной эмиссии на параметры пристеночной плазмы и устойчивость дебаевских слоев.
Выводы к главе 1.
Глава 2. Описание экспериментальной установки, систем диагностики и разрядных режимов.
2.1. Описание разрядной камеры, систем откачки и газонапуска.
2.2 Коллекторные устройства.
2.3. Диагностические средства установки ПР-2.
2.3.1. Измерение токов и напряжений.
2.3.2. Измерение концентрации плазмы и электронной температуры.
2.3.3. Измерение флуктуационных характеристик плазмы.
2.4. Описание разрядного режима.
Глава 3. Описание экспериментов на ПР-2 в режиме ППР с применением коллекторного устройства с одной приемной пластиной.
3.1. Вводные замечания.
3.2. Измерение аномальных вольт-амперных характеристик приемных пластин.
3.2.1. В АХ приемных пластин из алюминиевого сплава в аргоновой плазме.
3.2.2. ВАХ приемных пластин из алюминиевого сплава в водородной плазме.
3.2.3. ВАХ приемных пластин из вольфрама в аргоновой и водородной плазме.
3.2.4. ВАХ приемных пластин из графита в аргоновой и водородной плазме.
3.2.5. ВАХ приемных пластин из вольфрама с найыленной графитовой пленкой в аргоновой и водородной плазме.
3.3. Объяснение аномального поведения вольт-амперных характеристик.
3.3.1. Измерение зависимости интегрального коэффициента вторичной электронной эмиссии от потенциала приемной пластины.
3.3.2. Расчет скорости роста оксидных пленок на поверхности алюминиевой приемной пластины.
3.3.3. Моделирование аномальных вольт-амперных характеристик.
3.4. Неустойчивые режимы взаимодействия плазмы с поверхностью коллекторов с аномальными ВАХ.
3.4.1. Режимы ВЧ-колебаний.
3.4.2. Анализ электрической схемы цепи приемной пластины на устойчивость.
3.4.3. Моделирование неустойчивых режимов.ПО
3.5. Влияние неустойчивого плазменно-поверхностного взаимодействия на параметры плазмы.
3.5.1. Вводные замечания.
3.5.2. Радиальные распределения электронной температуры
Те и плотности плазмы п.
333. Уровень флук!уащ1шшгазменньое параметров.
3.5.4. Корреляционные характеристики плазменных флуктуаций и коэффициенты аномальной диффузии.
3.5.5. Пространственные распределения радиальных электрических полей.
Выводы к главе 3.
Глава 4. Описание экспериментов на токамаке Т-10.
4.1. Условия и схема эксперимента.
4.2. Результаты эксперимента.
Выводы к главе 4.
Глава 5. Описание экспериментов на ПР-2 в режиме ППР с применением коллекторного устройства с двумя приемными пластинами.
5.1. Схема эксперимента с составным коллектором.
5.2. Измерение вольт-амперных характеристик.
5.3. Развитие неустойчивого режима.
5.4. Влияние неустойчивого плазменно-поверхностного взаимодействия в экспериментах с коллекторным устройством с двумя приемными пластинами на параметры плазмы.
5.5. Влияние неустойчивого плазменно-поверхностного взаимодействия в экспериментах с коллекторным устройством с двумя приемными пластинами на параметры плазмы.
Выводы к главе 5.