Низкотемпературное создание и преобразование радиационных парамагнитных дефектов в кристаллах КСl и RbCl Колк, Ю.В.

Краткое описание

Колк, Ю.В.Низкотемпературное создание и преобразование радиационных парамагнитных дефектов в кристаллах КСl и RbCl : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.07. - Тарту, 1984. - 247 с. : ил.

Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Колк, Ю.В.
1. ВВЕДЕНИЕ. б
2. РАДИАЦИОННОЕ СОЗДАНИЕ МЩОУЗЕЛЬНЫХ АТОМОВ
ГАЛОИДА В ЩГК (обзор литературы).
2.1. Френкелевские дефекты и экситоны в облученных ЩГК
2.2. Распад электронных возбуждений с рождением френкелевских дефектов в ЩГК.
2.3. Парамагнитные Н-центры в KCl
2.3.1. ЭПР-спектр и оптические переходы
С1~ в KOI
2.3.2. ЭПР-спектр и структура Н-центров в KCl
2.3.3. Захваченные примесями парамагнитные Н-центры в KCl
2.4. Некоторые нерешенные проблемы и задачи настоящего исследования .•••».
3. МЕТОДИКА И ОБЪЕКТЫ ИССЛЕДОВАНИЯ.
3.1. Методика низкотемпературного исследования парамагнитных радиационных дефектов
3.1Л. О применении метода ЭПР для регистрации
Н- и VE- центров в ЩГК.
3.1.2. О низкотемпературном Х-облучении кристаллов при ЭПР-измерениях
3.1.3. Установка для ЭПР исследований
3.2. Методика исследования оптических характеристик облученных кристаллов
3.3. Объекты исследования
4. НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОЕ СОЗДАНИЕ И ПРЕОБРАЗОВАНИЕ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ В KCl.
4.1. Создание и отжиг Н- и V^-центров в KCl
4.1Л. ЭПР-спектры кристалла KCl после
Х-облучения при 20 К.
4Л.2. Накопление Н- и Vg-центров в ходе облучения при 20 К
4.1.3. Отжиг H-,VK- и ос-центров в KCl
4.1.4. Влияние БЧтодсветки на число и отжиг
Н- и V^-центров
4.1.5. Влияние подсветки фотонами 3*4 эВ на Н- и "У^центры и их отжиг
4.2. Влияние вторичных процессов на низкотемпературное радиационное дефектообразование в KCl
4.2.1. Взаимодействие электронов и дйрок с дефектами во время Х-облучения.
4.2.2. pjljVg- тройки в KCl.
4.2.3. Индуцированные Х-облучением вторичные процессы в KCl.
4.3. Миграция интерстициалов в KCl при Т < 60 К
4.3.1. Отжиг I-центров в KCl
4.3.2. Миграция Н-центров в KCl
5. НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОЕ СОЗДАНИЕ, ПРЕОБРАЗОВАНИЕ И
ОТЖИГ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ В КС1-НЪ
5.1. ЭПР-спектр кристалла KCl-Kb после
Х-облучения при 20 К • «.••.
5.2. Отжиг Н- и V^-центров в КС1-ЕЬ
5.3. Н. (иъ+)-центры в КС1-НЪ.
5.4. О влиянии ионов НЪ+ на процессы создания, преобразования и отжига френкелевских дефектов в KCl # 1Д(КЬ+)- центры
5.5. 0 ловушках Н-центров в KCl
6. НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОЕ СОЗДАНИЕ И ПРЕОБРАЗОВАНИЕ
ДЕФЕКТОВ В ЕЪС
6Д. Спектры ЭПР НЪС
6.2. ЭПР-сигнал и структура Н- центров в RbCl
6.3. Создание и отжиг интерстициалов в RbCl
7. СОЗДАНИЕ ПАР В KCl-Ag И КС1-Ш1 ПРИ РЕКОМБИНАЦИИ ЭЛЕКТРОНОВ С АВТОЛОКАЛИЗОВАННЬМИ
ДЫРКАМИ
7.1. Электронно-дырочный рекомбинационный механизм создания дефектов Френкеля
7.2. Рождение стабильных Р,Н- пар при рекомбинации электронов с VE-центрами в KCl-Ag
7.3. Рождение F,H-nap при рекомбинации электронов с VK- центрами в КС1-Ф
7.4» Электронно-дырочный и экситонный механизмы создания F,H- пар в KCl, ЕС1-Е1 и KCl-Ag,
8. РАСПАД ОКОЛОПРИМЕСНЫХ ЭЛЕКТРОННЫХ ВОЗБУВДЕНИЙ
С РОЗЩЕНИЕМ ДЕФЕКТОВ В КС1-Ф
8.1. Экспериментальное изучение рождения
F,H-nap и оС,I-пар ВКС1-Т
8.2. О роли локальных колебаний при распаде электронных возбуждений с рождением дефектов