Образование дефектов в полупроводниковых соединениях Cd/x Hg/1-x Te под действием облучения Ищук, Валерия Петровна

Краткое описание

Ищук, Валерия Петровна.
Образование дефектов в полупроводниковых соединениях Cd/x Hg/1-x Te под действием облучения : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10. - Москва, 1983. - 137 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Ищук, Валерия Петровна
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1. Моделирование методом Монте-Карло процессов нейтронного воздействия на тройные соединения
1. Прохождение нейтронов через вещество
2. Метод Монте-Карло и постановка задачи
3. Математическая модель процесса переноса
4. Моделирующий алгоритм и его программная реализация
5. Численные эксперименты
6. Обсуждение результатов и выводы.
ГЛАВА П. Расчет глубины проникновения протонов и пространственного распределения радиационных дефектов в методом Монте-Карло
1. Основные положения теории прохождения быстрых заряженных частиц через вещество
2. Постановка задачи.
3. Математическая модель процесса внедрения 44 протонов
4. Моделирующий алгоритм и его программная 50 реализация
5. Численные эксперименты по облучению протонами ^
6. Обсуждение результатов и выводы
ГЛАВА Ш. Исследование возникновения радиационных дефектов в соединении к под действием гамма-квантов и быстрых электронов методом Монте-Карло
1. Теоретические представления о возникновении радиационных дефектов под действием электронного и ^---облучения
2. Теоретико-вероятностная модель прохождения
Jp-квантов и электронов в соединении Cdy 1в
3. Моделирующий алгоритм и его программная реализация
4. Вычислительные эксперименты
5. Обсуждение результатов и выводы
ГЛАВА 1У. Воздействие нейтронного и протонного облучения на электрические свойства соединений Сс/х U^-r-x ^
1. Постановка задачи и обзор литературы
2. Облучение нейтронами
3. Облучение протонами
4. Свойства полученных р-п переходов