Оптическая и магнитооптическая спектроскопия квантоворазмерных (In, Ga)As/GaAs гетероструктур Муманис Халид

Краткое описание

Муманис Халид.
Оптическая и магнитооптическая спектроскопия квантоворазмерных (In, Ga)As/GaAs гетероструктур : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10. - Санкт-Петербург, 1999. - 189 с.
Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Муманис Халид
Содержание
Введение
Глава I. Напряженные гетеросистемы с квантовыми ямами
(1п,Са)А8/СаА8 и их свойства
1.1. Напряженные гетеросистемы (1п,Оа)Аз/ОаА8, зонная структура и методы их изготовления
1.1.1. Методы изготовления напряженных гетероструктур (1п,Оа)А8/ОаАз
1.1.2. Зонная структура ЬгОаАз/ОаАБ
1.2. Диамагнитные экситоны в гетеросисгеме (1п,Оа)А8/ОаЛ8
1.3. Квантовые ямы и оптические свойства (1п,Оа)Аз/ОаА8
1.3.1. Квантовые ямы в (1п,Оа)Аб/ваАэ
1.3.2. Оптические свойства (1п,Оа)А8/ОаА8
1.4. Эффект "кулоновской ямы" и эффекты деформации
1.4.1. Эффект "кулоновской ямы"
1.4.2. Эффекты деформации
Глава II. Техника экспериментального исследования
ПЛ. Образцы квантово-размерных гетероструктур ГпОаАз/СаАз, применение рентгеновских измерений для определения их параметров
и кристаллического совершенства
II. 1.1. Рентгено дифракционный метод исследования
эпитаксиальных структур
И. 1.2. Результаты рентгеновских измерений
II. 1.3. Методика определения параметров квантово-размерных
гетероструктур 1пОаАз/ОаА8
11.2. Экспериментальная установка для исследования оптических и магнитооптических свойств при низких температурах
11.3. Методика обработки оптических и магнитооптических данных и расчета энергетических спектров
И.3.1. Получение спектров поглощения из спектров пропускания
II.3.2. Контурный анализ и обработка спектров на ЭВМ
Глава III. Экспериментальные результаты
III. 1. Спектры оптического поглощения InGaAs/GaAs в диапазоне составов х=0.03-й).25 и в диапазоне толщин квантово-размерново слоя Lz=Зч-Юнм
111.2. Магнитооптическое поглощение в структурах InGaAs/GaAs
111.3. Веерные диаграммы экситонных переходов легкой и тяжелой дырок
Глава IV. Анализ результатов: тяжелые дырки. Циклотронная масса тяжелых дырок в системе InGaAs/GaAs
IV. 1. Модель бесконечно глубокой потенциальной ямы
IV.2. Массы подзон размерного квантования с учетом туннелирования легких дырок при деформации пленки в системе InGaAs/GaAs
IV. 3. Уровни Ландау электронов и тяжелых дырок, расчет эффективных масс, энергетических зазоров
Глава V. Анализ результатов: легкие дырки. Эффект "кулоновской ямы"
V.I. Экситонная структура спектров поглощения и магнитопоглощения в близи перехода тип I-тип II
V.2. Аномальное поведение экситонов на легких дырках и восстановление реальной формы "кулоновской ямы" в системе InGaAs/GaAs
V.2.1. Оценка ширины "кулоновской ямы"
V.2.2. Осцилляторные уровни кулоновской ямы
Заключение
Список литературы
Приложение