Оптические свойства и спектр локальных уровней твердых растворов TlGaS2-TlGaSe2 Сафуат Булис Юсиф Ниер

Краткое описание

Сафуат Булис Юсиф Ниер.
Оптические свойства и спектр локальных уровней твердых растворов TlGaS2-TlGaSe2 : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10. - Баку, 1982. - 153 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Сафуат Булис Юсиф Ниер
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА I. МЕТОДИКА СИНТЕЗА И ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ
TlGoSJe^ ИХ ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА.
§ I.I. Краткий литературный обзор физических свойств таллий-галяяевых сульфидов и седенидов
§ 1.2. Физико-химические свойства твердых раотворов
TIGqS2x&2«-X).V.
§ 1.3. Синтез и выращивание монокристаллов
Резюме.
ГЛАВА П. МЕХАНИЗМ ФОРМИРОВАНИЯ КРАЯ ОСНОВНОЙ ПОЛОСЫ
ПОГЛОЩЕНИЯ МОНОШСТАЛЛОВ TlGoSJe^
ПРИ Х^ I
§ 2.1. Спектр и форма края основной полосы поглощения в полупроводниках
§ 2.2, Методика эксперимента
§ 2.3. Формирование края собственного поглощения монокристаллов и / lGoSe
§ 2.4. Край полосы поглощения TIGqS2x$€2(<-x) • • • 45 Резюме.
ГЛАВА III. СТРУКТУРА ОСНОВНЫХ ПОЛОС ПОГЛОЩЕНИЯ И ОПТИЧЕСКИЕ
КОНСТАНТЫ МОНОКРИСТАЛЛОВ TlGoSzySe^-x)
§ 3.1. О методике измерения диффузного отражения я обработке экспериментальных данных
§ 3.2. Межзонные переходы соединений
TlGoSe, л ТШаОг
§ 3.3. Спектр диффузного отражения твердых растворов
TlGaS2£e2(1.x) в интервале энергии 2*6 эВ
§ 3.4. Диффузное отражение и механизм формирования края собственной полосы поглощения TIGqSzk^sO-x)*
§ 3.5. Дисперсия края полосы собственного поглощения в монокристаллах TlGoSz » TlGoSe
§ 3.6. Собственная интерференция и дисперсия у края собственной полосы поглощения TIGqS2 , TIGaSSe,
TlGaSe?
Резше.
ГЛАВА 1У. ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ СПЕКТР ЛОКАЛЬНЫХ СОСТОЯНИЙ В
ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЕ МОНОКРИСТАЛЛОВ TlGoSzxSez(i.x)
§ 4.1. Температурная зависимость электропроводности монокристаллов TIGq$2xS~2(f-x) при постоянном токе
§ 4.2. Частотная и температурная зависимости электропроводности монокристаллов TlGoS^S^fy-x) в переменном токе.
§ 4.3. Примесная фотопроводимость монокристаллов
710о$2х$ег(4'х) .«
§ 4.4. Термостимулированные токи соединения ТЫ
TIGoSet, TIGaSSe . . . .-щ
§ 4.4.1. Термостимулированные проводимости TIGaSz
TlGaSe? , TIGaSSe. hi
§ 4.4.2. Термостимулированные деполяризации TIGqS
§ 4.5. Температурное гашение фотопроводимости TIGqS л TlGoSe
Резюме
ГЛАВА У. Ф0Т0В0ЛЬТАИЧЕСКИЙ ЭФФЕКТ СИСТЕМЫ TIGQ Xz'CdSe
§ 5.1. Изготовление гетеропереходов /IbQX? ~ CdSe
§ 5.2. Спектральная характеристика фотоюльтаического эффекта в системе Ад- Wo*- Cd&e.
§ 5.3. Характеристики системы Ад- ТШахг - CdSe в фотодиодном режиме.
Резюме.