Особенности фононных спектров и резонансных свойств кристаллов с плоскими дефектами Савотченко, Сергей Евгеньевич

Краткое описание

Савотченко, Сергей Евгеньевич.
Особенности фононных спектров и резонансных свойств кристаллов с плоскими дефектами : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.02. - Харьков, 1999. - 123 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Савотченко, Сергей Евгеньевич
СОДЕРЖАНИЕ.
СПИСОК УСЛОВНЫХ ОБОЗНАЧЕНИЙ И СОКРАЩЕНИЙ.
ВВЕДЕНИЕ.
ГЛАВА 1. ОСНОВНЫЕ ТИПЫ ПОВЕРХНОСТНЫХ ВОЛН В ТВЕРДЫХ ТЕЛАХ. МЕТОДЫ ИЗУЧЕНИЯ И ВОЗМОЖНОСТИ
ПРАКТИЧЕСКОГО ПРИМЕНЕНИЯ.
1.1. Основные типы поверхностных волн в твердых телах и их свойства.
1.1.1. Рэлеевские волны.
1.1.2. Волны, локализованные вблизи границы раздела двух сред.
1.1.3. Поверхностные волны в кристаллах. Влияние анизотропии и дискретности кристаллической решетки.
1.1.4. Псевдолокализованные колебания в кристаллах.
1.2. Особенности резонансного рассеяния волн плоскими дефектами в кристаллах.
1.3. Применение поверхностных волн.
ГЛАВА 2. ПОВЕРХНОСТНЫЕ И КВАЗИПОВЕРХНОСТНЫЕ ФОНОНЫ В ГЕКСАГОНАЛЬНОМ КРИСТАЛЛЕ.
2.1. Теоретическая модель и уравнения движения.
2.2. Анализ сплошного спектра колебаний.
2.3. Поверхностные волны в полуограниченном кристалле.
2.4. Волны трансформации.:.
2.5. Квазиповерхностные фононы.
2.6. Влияние адсорбированного на поверхности кристалла монослоя изотоп-атомов на свойства локализованных колебаний и волн трансформации.
2.7. Длинноволновые колебания, локализованные вблизи плоского дефекта. Проблема граничных условий.
ГЛАВА 3. ОСОБЕННОСТИ ФОНОННЫХ СПЕКТРОВ
ГЦК КРИСТАЛЛА С ПЛОСКИМ ДЕФЕКТОМ.
3.1. Модель плоского дефекта в кристалле и граничные условия.
3.2. Анализ законов дисперсии объемных колебаний.
3.2.1. Линия ГХ.;.
3.2.2. Линия ГМ.
3.3. Локализованные вблизи дефекта колебания.
3.3.1. Линия ГХ.
3.3.2. Линия ГМ.
3.4. Стационарные псевдолокализованные состояния.
3.5. Резонансные особенности рассеяния фононов плоским дефектом.
3.5.1. Резонансное отражение фононов от дефекта.
3.5.2. Резонансное прохождение фононов через дефект.
ВЫВОДЫ.