Особенности применения плазменных технологий для формирования наноразмерных элементов плазмоники и гетероструктурных СВЧ транзисторов Филиппов Иван Андреевич

Краткое описание

Филиппов, Иван Андреевич.
Особенности применения плазменных технологий для формирования наноразмерных элементов плазмоники и гетероструктурных СВЧ транзисторов : диссертация ... кандидата технических наук : 01.04.04 / Филиппов Иван Андреевич; [Место защиты: ФГБОУ ВО «Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники»]. - Томск, 2020. - 111 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат наук Филиппов Иван Андреевич
электронике и плазмонике
1.1 Плазменное травление в технологии устройств и элементов плазмоники
1.1.1 Современные устройства плазмоники
1.1.2 Применение плазменного травления в технологии устройств плазмоники
1.2 Плазменное травление в технологии наногетероструктурной СВЧ электроники
1.2.1 Современные устройства наногетероструктурной СВЧ электроники
1.2.2 Применение плазменного травления в технологии наногетероструктурных СВЧ транзисторов
1.3 Современные методы плазменного травления
1.3.1 Классификация методов плазменного травления
1.3.2 Особенности реактивно-ионного травления
1.4 Основные результаты и выводы главы
ГЛАВА 2. Процессы плазменного травления для формирования структур в наноэлектронике и их моделирование
2.1 Физико-химические аспекты процессов травления
2.2 Моделирование процессов травления тонких пленок серебра
2.3 Моделирование процессов травления тонких пленок нитрида кремния
2.4 Основные результаты и выводы главы
ГЛАВА 3. Процессы плазменного травления для создания наноразмерного источника света
3.1 Подготовка образцов и формирование маски для травления
3.2 Формирование твердой маски из БЮ2 для травления серебра
3.3 Процесс плазменного травления серебра
3.4 Основные результаты и выводы главы
ГЛАВА 4. Процессы плазменного травления для формирования элементов СВЧ
транзисторов
4.1 Технология изготовления затвора транзисторов
4.2 Влияние плазменной обработки на параметры гетероструктуры НЕМТ
4.3 Травление Б1зК4 в газовых смесях на основе ББб через маску ПММА
4.4 Травление Б1зК4 в ББб через маску резиста ЛЯ-Р
4.5 Формирование затворных щелей в Б1зК4
4.6 Основные результаты и выводы главы
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
СПИСОК литературы