Каталог / ФИЗИКО-МАТЕМАТИЧЕСКИЕ НАУКИ / Физика полупроводников
скачать файл: 
- Название:
- Особенности процесса переноса внедряемых ионов и атомов отдачи при имплантации в твердые тела Шлотцхауер, Геральд
- Альтернативное название:
- Peculiarities of the process of transfer of implanted ions and recoil atoms during implantation into solids Schlotzhauer, Gerald
- Краткое описание:
- Шлотцхауер, Геральд.
Особенности процесса переноса внедряемых ионов и атомов отдачи при имплантации в твердые тела : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10. - Минск, 1984. - 147 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Шлотцхауер, Геральд
ВВЕДЕНИЕ.
АВТОР ЗАЩИЩАЕТ
ГЛАВА I ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР.
1.1. Теория переноса внедряемых ионов и атомов . отдачи при имплантации в твердые тела
1.1.1. Проблема переноса в теории ЛШШ.
1.1.2. Решение проблемы переноса в теории каскадов столкновений, на основе.уравнений, типа . . . Больцмана
1.1.3. Методы численного моделирования Монте-Карло и молекулярной динамики в теории.переноса при ионной имплантации.
1.2. Неупругое торможение тяжелых ионов в твердых телах
1.3. Теория упругого торможения внедряемых ионов и атомов отдачи в твердых телах.
1.3.1. Потенциал межатомного взаимодействия, определяющий процесс упругого рассеяния
1.3.2. Сечение упругого рассеяния и торможения
1.3.3. - осцилляции, сечений, упругого рассеяния и торможения .-.
1.4. Постановка задач исследования.
ГЛАВА 2 ОСЩШЦИОННАЯ ЗАВИСИМОСТЬ СЕЧЕНИЙ УПРУГОГО
ТОРМОЖЕНИЯ И ПАРАМЕТРОВ ПРОБЕГОВ ОТ ПОРЯДКОВОГО
НОМЕРА ВНЕДРЯЕМЫХ ИОНОВ И АТОМОВ ОТДАЧИ ПРИ
НИЗКОЭНЕРГЕТИЧЕСКОЙ ИМПЛАНТАЦИИ В ПОЛУПРОВОДНИКИ
2.1. Вывод и метод численного решения уравнения. переноса, для моментов пространственного распределения внедряемых ионов в однокомпонентных материалах.
2.2. Межатомные.потенциалы взаимодействия с учетом, структуры электронных оболочек.
2.3. Выбор сечений упругого рассеяния и неупругого, торможения
2.4. Параметры пробегов и сечения упругого торможения при низкоэнергетической ионной, имплантации. в твердые тела.
2.5. Выводы.
ГЛАВА 3 ПАРАМЕТРЫ ПРОФИЛЕЙ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ПРИМЕСЕЙ В МНО
ГОКОШОНЕНТНЫХ МАТЕРИАЛАХ И ДВУХМЕРНЫЕ ПРОФИЛИ С БОЛЬШОЙ АСИММЕТРИЕЙ
3.1. Расчет параметров профилей примеси и выделенной -энергии при ионной, имплантации в. многокомпонентные материалы.
3.2. Конструирование двухмерных профилей распределения примеси при ионной имплантации через маску
3.3. Выводы.
ГЛАВА 4 ОСОБЕННОСТИ В ХАРАКТЕРИСТИКАХ ВНЕДРЕНИЯ ИОНОВ И
АТОМОВ ОТДАЧИ, ОПИСЫВАЕМЫЕ УРАВНЕНИЯМИ ПЕРЕНОСА
БОЛЕЦМАНА, ПРИ ИМПЛАНТАЦИИ В ПОЛУПРОВОДНИКИ
4.1. Теория метода и описание численного алгоритма
4.2. Структура комплекса программ.
4.3. Результаты расчетов
4.3.1. Выбор параметров.
4.3.2. Расчеты профилей глубинных распределений ионов.
4.3.3. Расчеты распределений атомов отдачи, вакансий и выделенной энергии.
4.4. Перспективы развития метода.
4.5. Выводы.
ОБЩИЕ ВЫВОШ
- Стоимость доставки:
- 230.00 руб