Поляризационные исследования рекомбинационного излучения монокристаллов тройных полупроводников с анизотропной структурой Паримбеков, Заитхан Анарбекович

Краткое описание

Паримбеков, Заитхан Анарбекович.
Поляризационные исследования рекомбинационного излучения монокристаллов тройных полупроводников с анизотропной структурой : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10. - Ленинград, 1984. - 230 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Паримбеков, Заитхан Анарбекович
ВВЕДЕНИЕ . б
ГЛАВА I. ТРОЙНЫЕ АЛМА30П0Д0БНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ обзор литературы) . ^
1.1. Кристаллическая структура кристаллов соединений//"!//-^ и НМ
1.2. Строение энергетических зон тройных полупроводников . /
1.2.1. Межзонные оптические переходы . 1В
1.2.2. Структура валентной зоны
1.2.3. Строение энергетических зон приТ<=
1.3. Экспериментальные результаты исследований ре-комбинационного излучения некоторых тройных полупроводников Л-IV- У
1.3.1. Исследования РИ р -С<19А$£.
1.3.2. Исследования Ш&&еР2 и . 4О
1.3.2.1. Излучательные свойства (И&е.
1.3.2.2. Излучательная рекомбинация Сс15пР2 .
1.3.2.3. Свойства твердых растворов в системе Сс15п^ и СШе%
1.3.2.4. Экспериментальное исследование упорядочения на физические свойства кристаллов2/?Зл/^
1.4. Физические свойства и энергетическая структура зон кристаллов X - и ск-^Щ.
1.5. Постановка задачи
ГЛАВА 2. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА
2.1. Характеристика методов получения и легирования кристаллов р- .вб
2.2. Характеристика методов получения кристаллов р-¿Ы9пРг
2.3. Характеристика методов получения и легирования кристаллов твердых растворов С^Яп^е,^ ^
2.4. Характеристика метода выращивания кристаллов
•4ромбической модификации.
2.5. Методика подготовки образцов к исследованиям.
2.6. Методика поляризационных исследований спектров ФЧ и РИ.
Краткие выводы по главе
ГЛАВА 3. ИССВДОЕАНИЕ РИ монокристаллов р- и я - типа проводимости . 823.1. Исследование РИ кристаллов р- типа проводимости, выращенных без легирования по- 0>2. сторонними химическими примесями
3.1.1. Спектры РИ в зависимости от температуры и уровня возбуждения
3.1.2. Влияние концентрации дырок и условий термообработки на люминесценцию р-(2с!$1^.
3.2. Исследование РИ кристаллов р-типа проводимости, однородно легированных посторонними химическими примесями в процессе получения.
3.2.1. Излучательные свойства кристаллов , содержащих примеси первой группы . £
3.2.2. Рекомбинационное излучение кристаллов р
3.2.3. Рекомбинационное излучение кристаллов р
3.2.4. Рекомбинационное излучение кристаллов р
3.2.5. Рекомбинационное излучение кристаллов р-С/^/А, , содержащих примеси/л и
3.2.6. Рекомбинационное излучение кристаллов р-ШЛД^ легированных переходными элементами . 10Т
3.2.7. Анализ особенностей поведения примесей в кристаллах р
3.3. Исследование поляризационных свойств краевого
РИ монокристаллов р.11°
3.4. Исследование РИ слоев п-СЛ&Аь^.
Краткие выводы по главе 3 .12.
ГЛАВА 4. ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ПОЗИЦИОННОГО РАЗУПОРДДОЧЕ-НИЯ И ЛЕГИРОВАНИЯ НА ПОЛЯРИЗАЦИОННЫЕ СВОЙСТВА
ОДНООСНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ
4.1.^Исследование фотоэлектрических и лшинесцентных свойств кристаллов
§ .^^
4.1.1. Электрические свойства кристаллов П типа
4.1.2. ФоточуЕствительность поверхностно-барьерных структур на основе кристаллов р-Зл^л^
4.1.3. Исследование РИ кристаллов р- .«з
4.1.4. Природа излучательных переходов в кристаллах. рЛп$пР2 .ЩИ
4.1.5. Влияние ТО на спектры РИ кристаллов р
4.1.6. Спектры РИ слоев Л - типа проводимости 4.2. Исследование анизотропии ФЧ и РИ ТР Сс/£пх:&е/.х^ /
4.2.1. Поляризационные исследования ФЧ поверхностно-барьерных структур . ^
4.2.2. Исследование РИ монокристаллов ТР. У
4.2.3. Поляризационные свойства РИ кристаллов ТР.
4.2.4. Закономерности анизотропии фотоактивного поглощения и РИ при позиционном разупоря-дочении атомов в РХ.
4.3. Исследование поляризации РИ кристаллов
Краткие выводы по главе 4 . ^
ГЛАВА 5. ИССЛЕДОВАНИЕ ОПТОЭЛЕКТРОННЫХ СВОЙСТВ КРИСТАЛЛОВ ТЕТРАГОНАЛЬНОЙ И РОМШЧЕСКОЙ МОДИФИКАЦИИ
5.1. Исследование РИ кристаллов . /
5.2. Исследование оптоэлектронных свойств монокристаллов^^?^ в зависимости от типа позиционного упорядочения атомов. ^^
5.-2.1. Влияние фазового перехода 7,-* с1г на РИ ^^
5.2.2. Влияние фазового перехода на фотопроводи
Ао1п£п . из мость
5.3. Исследование РИ кристаллов с/?^^^^
5.4. Исследование поляризации РИ монокристаллов,/^/7^^
5.4.1. Азимутальные зависимости интенсивности РИ. №
5.4.2. Поляризация РИ монокристаллов и
5.4.3. Спектральные зависимости степени линейной поляризации РИ монокристаллов и
Краткие выводы по главе