Прецизионная электронография Прецизионная электронография

Краткое описание

Авилов, Анатолий Сергеевич.Прецизионнаяэлектронография: диссертация ... доктора физико-математических наук : 01.04.18. - Москва, 1999. - 274 с. : ил.больше
Цитаты из текста:

стр. 1
м . ь - : . л г : и и й В А К Р о с с и и С-^ АВИЛОВПРЕЦИЗИОННАЯЭЛЕКТРОНОГРАФИЯСпециальность 01.04.18 Кристаллография, физика кристаллов Диссертация

стр. 9
НД, КН, ПЛК,/ПЛКВП, С1 СтруктурнаяэлектронографияПрецизионнаяэлектронографияФизическаяэлектронографияСвязь : структура ^—свойства Рис.1. Для перехода

стр. 12
развитие прецизионности ее методов, т.е. развитие «прецизионнойэлектронографии». Для развитияпрецизионнойэлектронографиинеобходимо решение следук>-щих

Оглавление диссертациидоктор физико-математических наук Авилов, Анатолий Сергеевич
ВВЕДЕНИЕ.
ГЛАВА I. Электронная дифрактометрия в электронографии
1. Введение. О методах измерения интенсивностей.
2. Система электронной дифрактометрии с одномерным сканированием и механическим вращением образца.
2.1. Метод измерения.
2.2. Измерение интенсивностей отражений на электронограммах от текстур при вращении образца в электронографе ЭР-100.
2.3. Измерение интенсивностей отражений при дифракции электронов от мозаичных монокристаллов.
3. Примеры использования системы измерения дифракционных картин от текстур с вращением образца в структурном анализе
3.1. Исследование минералов слюд.
3.2. Электронографическое исследование смешанных соединений меди (II) с глицином и серином.
4. Система измерения с двумерным сканированием дифракционной картины перед неподвижным приемником
4.1. Задачи по разработке новой электронной системы регистрации.
4.2. Усовершенствованная система измерения интенсивностей рефлексов дифракции быстрых электронов
4.3. Применение системы с двумерным сканированием к бинарным ионным кристаллам.
4.4. Пример применения электронного дифрактометра к исследованию положения атома водорода в брусите.
5. Уточнение геометрии дифракционных картин в электронографии.
6. О влиянии диффузного фона на точность структурных исследований.
ГЛАВА II. Метод учета многоволновых эффектов первичной экстинкции в частично ориентированных поликристаллических тонких пленках.
1 .Введение.
1.1.Двухволновая дифракция в поликристаллах.
1.2.Поправки по Бете с помощью «динамических потенциалов».
1.3.Эффекты многоволновой дифракции.
1.4.0 роли поглощения в динамическом рассеянии электронов.
2. Экспериментальные исследования динамических эффектов в поликристаллических тонких пленках.
2.1. Дифракция электронов с энергией 350 кэВ в кристаллах . 81 СизБЬБз
2.2. Экспериментальное исследование динамических эффектов при дифракции электронов в частично ориентированных пленках.
3. Разработка методов учета многоволновой дифракции в частично ориентированных поликристаллических тонких слоях.
3.1. Способ расчета «ошибок возбуждения» в общем случае «несистематических» многоволновых взаимодействий при дифракции быстрых электронов.
3.2. Учет специфики ориентаций и функций распределения кристалликов при многоволновом расчете интенсивностей отражений в частично ориентированных пленках.
4. Изучение процессов многоволнового рассеяния в частично ориентированных поликристаллических образцах
4.1 Текстурированных пленки РЬ8е.
4.2. Учет многоволновой дифракции быстрых электронов в мозаичных монокристаллических пленках LiF.
ГЛАВА III. Прецизионная электронография аморфных пленок
1. Методы электронно-дифракционного исследования структуры.
1.1. Введение.
1.2.0 методах получения структурной информации о ближнем порядке.
1.3. К вопросу об учете фона при исследовании структуры ближнего порядка в аморфных тонких пленоках Ge и GeTe.
1.4.0 возможности структурного определения аморфных веществ сложного состава в экспериментах по дифракции электронов.
2. Структурные исследования аморфных пленок с использованием электронной дифрактометрии.
2.1. Аморфный кремний.
2.2.Гидрированный аморфный кремний. а) Особенности структуры и свойств приграничных областей аморфного гидрированного кремния. б) О влиянии легирования на свойства a-Si:H. в) Зависимость образования моногидридных связей и структурных изменений в a-Si:H от термообработки. г) Влияние потенциала смещения на подложке в процессе плазмохимического осаждения на содержание водорода, структурное состояние и некоторые свойства аморфного гидрированного кремния.
2.3. Исследование структуры аморфных пленок Dy - Со с магнитной анизотропией.
2.4. Изучение атомной структуры пленок сплава А10)86 Mn0j4, полученных импульсной лазерной возгонкой.
ГЛАВА IV. Химическая связь и электростатический потенциал
1. 1.1.Введение.
1.2. Исследование химической связи методом дифракции электронов высокой энергии.
1.3. О роли внутренних и внешних электронов в атомах при дифракции быстрых электронов (на примере запрещенного рефлекса 222 в алмазоподобном Ое)
2. Определение распределения валентных электронов в приближении Слэйтера.
2.1. О приближении Слэйтера.
2.2. Рапределение валентных электронов в
2.3. Изучение характера сил связи в соединении СбВг.
3. 3.1. Каппа-модель и химическая связь.
3.2. Изучение химической связи в бинарных кристаллах 1лР, №Р,
4. Количественное определение кристаллического электростатического потенциала методом электронографии
4.1. Роль электронографии в определении ЭСП.
4.2. Краткие сведения об электростатическом потенциале.
4.3. Применение дифракции электронов и рентгеновских лучей для измерения кристаллического электростатического потенциала
§0: сравнительное исследование.
4.4. Распределение ЭСП в МпО.
4.5. Определение ЭСП с помощью аналитических моделей.
ГЛАВА V. Введение в «физическую электронографию».
1. Задачи физической электронографии.
2. Оценка реальной точности определения электростатического потенциала.
3. Определение физических свойств по электронографическим данным.
4. Привлечение дифракции электронов в сходящемся пучке.
4.1. Исследование зарядовой плотности в Си20.
4.2. Исследование 81С 4Н количественным методом дифракции электронов в сходящемся пучке.
5. Совместное применение дифракции электронов и рентгеновских лучей к исследованию свойств бинарных кристаллов.
ОБСУЖДЕНИЕ РЕЗУЛЬТАТОВ И ВЫВОДЫ.Оглавление диссертациидоктор физико-математических наук Авилов, Анатолий Сергеевич
ВВЕДЕНИЕ.
ГЛАВА I. Электронная дифрактометрия в электронографии
1. Введение. О методах измерения интенсивностей.
2. Система электронной дифрактометрии с одномерным сканированием и механическим вращением образца.
2.1. Метод измерения.
2.2. Измерение интенсивностей отражений на электронограммах от текстур при вращении образца в электронографе ЭР-100.
2.3. Измерение интенсивностей отражений при дифракции электронов от мозаичных монокристаллов.
3. Примеры использования системы измерения дифракционных картин от текстур с вращением образца в структурном анализе
3.1. Исследование минералов слюд.
3.2. Электронографическое исследование смешанных соединений меди (II) с глицином и серином.
4. Система измерения с двумерным сканированием дифракционной картины перед неподвижным приемником
4.1. Задачи по разработке новой электронной системы регистрации.
4.2. Усовершенствованная система измерения интенсивностей рефлексов дифракции быстрых электронов
4.3. Применение системы с двумерным сканированием к бинарным ионным кристаллам.
4.4. Пример применения электронного дифрактометра к исследованию положения атома водорода в брусите.
5. Уточнение геометрии дифракционных картин в электронографии.
6. О влиянии диффузного фона на точность структурных исследований.
ГЛАВА II. Метод учета многоволновых эффектов первичной экстинкции в частично ориентированных поликристаллических тонких пленках.
1 .Введение.
1.1.Двухволновая дифракция в поликристаллах.
1.2.Поправки по Бете с помощью «динамических потенциалов».
1.3.Эффекты многоволновой дифракции.
1.4.0 роли поглощения в динамическом рассеянии электронов.
2. Экспериментальные исследования динамических эффектов в поликристаллических тонких пленках.
2.1. Дифракция электронов с энергией 350 кэВ в кристаллах . 81 СизБЬБз
2.2. Экспериментальное исследование динамических эффектов при дифракции электронов в частично ориентированных пленках.
3. Разработка методов учета многоволновой дифракции в частично ориентированных поликристаллических тонких слоях.
3.1. Способ расчета «ошибок возбуждения» в общем случае «несистематических» многоволновых взаимодействий при дифракции быстрых электронов.
3.2. Учет специфики ориентаций и функций распределения кристалликов при многоволновом расчете интенсивностей отражений в частично ориентированных пленках.
4. Изучение процессов многоволнового рассеяния в частично ориентированных поликристаллических образцах
4.1 Текстурированных пленки РЬ8е.
4.2. Учет многоволновой дифракции быстрых электронов в мозаичных монокристаллических пленках LiF.
ГЛАВА III. Прецизионная электронография аморфных пленок
1. Методы электронно-дифракционного исследования структуры.
1.1. Введение.
1.2.0 методах получения структурной информации о ближнем порядке.
1.3. К вопросу об учете фона при исследовании структуры ближнего порядка в аморфных тонких пленоках Ge и GeTe.
1.4.0 возможности структурного определения аморфных веществ сложного состава в экспериментах по дифракции электронов.
2. Структурные исследования аморфных пленок с использованием электронной дифрактометрии.
2.1. Аморфный кремний.
2.2.Гидрированный аморфный кремний. а) Особенности структуры и свойств приграничных областей аморфного гидрированного кремния. б) О влиянии легирования на свойства a-Si:H. в) Зависимость образования моногидридных связей и структурных изменений в a-Si:H от термообработки. г) Влияние потенциала смещения на подложке в процессе плазмохимического осаждения на содержание водорода, структурное состояние и некоторые свойства аморфного гидрированного кремния.
2.3. Исследование структуры аморфных пленок Dy - Со с магнитной анизотропией.
2.4. Изучение атомной структуры пленок сплава А10)86 Mn0j4, полученных импульсной лазерной возгонкой.
ГЛАВА IV. Химическая связь и электростатический потенциал
1. 1.1.Введение.
1.2. Исследование химической связи методом дифракции электронов высокой энергии.
1.3. О роли внутренних и внешних электронов в атомах при дифракции быстрых электронов (на примере запрещенного рефлекса 222 в алмазоподобном Ое)
2. Определение распределения валентных электронов в приближении Слэйтера.
2.1. О приближении Слэйтера.
2.2. Рапределение валентных электронов в
2.3. Изучение характера сил связи в соединении СбВг.
3. 3.1. Каппа-модель и химическая связь.
3.2. Изучение химической связи в бинарных кристаллах 1лР, №Р,
4. Количественное определение кристаллического электростатического потенциала методом электронографии
4.1. Роль электронографии в определении ЭСП.
4.2. Краткие сведения об электростатическом потенциале.
4.3. Применение дифракции электронов и рентгеновских лучей для измерения кристаллического электростатического потенциала
§0: сравнительное исследование.
4.4. Распределение ЭСП в МпО.
4.5. Определение ЭСП с помощью аналитических моделей.
ГЛАВА V. Введение в «физическую электронографию».
1. Задачи физической электронографии.
2. Оценка реальной точности определения электростатического потенциала.
3. Определение физических свойств по электронографическим данным.
4. Привлечение дифракции электронов в сходящемся пучке.
4.1. Исследование зарядовой плотности в Си20.
4.2. Исследование 81С 4Н количественным методом дифракции электронов в сходящемся пучке.
5. Совместное применение дифракции электронов и рентгеновских лучей к исследованию свойств бинарных кристаллов.
ОБСУЖДЕНИЕ РЕЗУЛЬТАТОВ И ВЫВОДЫ.