Применение модели потенциала нулевого радиуса к теории фотоионизации глубоких примесных центров в полупроводниках Логинова, Инга Дмитриевна

Краткое описание

Логинова, Инга Дмитриевна.
Применение модели потенциала нулевого радиуса к теории фотоионизации глубоких примесных центров в полупроводниках : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10. - Ленинград, 1984. - 116 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Логинова, Инга Дмитриевна
Введение
Глава I, Обзор методов ^Шчёта глубоких центров в полупроводниках
1.1. Основные методы расчёта энергетического положения глубоких центров и волновых функций примесного электрона
1.2. Метод потенциала нулевого радиуса
Глава 2. Волновые функции глубоких примесных центров в р-представлении.
2.1. Структура валентной з
§ы.£ обобщенной мо '«*> дели Латтинжера
2.2. Метод построения волновых фуйодий глубоких примесных центров
2.3. Волновые функции глубоких центров симметрии г8.
2.4. Волновые функции глубоких центров симметрии Гг,.
2.5. Волновые функции с-центров в р-представлении
Глава 3. Оптические переходы в полупроводниках с глубокими уровнями.
3.1. Мвтод расчёта сечения фотоионизации
3.2. Определение матрицы Ф^у/ » характеризующей состав состояния на центре
3.3. Расчёт матричных элементов дипольных переходов между свободными зонными состояниями в модели Латтинжера
3.4. Расчёт сечения фотоионизации для переходов
Ь -центр - валентная зона.
3.5. Расчёт сечения фотоионизации для переходов h -центр - зона проводимости
3.6. Учёт зарядового состояния центра после фотоионизации
3.7. Сечение фотоионизации 1-е -центров
Глава 4. Анализ полученных теоретических зависимостей сечения фотоионизации глубоких центров. Сравнение с экспериментальными данными
4.1. Спектральная зависимость сечения фотоионизации глубоких примесных h-центров для переходов центр - валентная зона.
4.2. Спектральная зависимость сечения фотоионизации глубоких примесных h -центров для переходов центр - зона проводимости
4.3. Расчёт абсолютных значений сечений фотоионизации глубоких h -центров.
4.4. Установление типа симметрии глубокого центра и уточнение его оптической энергии ионизации по характеру спектральной зависимости коэффициента,поглощения или фотопроводимости
4.5. Анализ глубоких центров в GaAs.