Каталог / ФИЗИКО-МАТЕМАТИЧЕСКИЕ НАУКИ / Физика полупроводников
скачать файл: 
- Название:
- Процессы переноса и захвата заряда в системе электролит-нитрид кремния-окисел-кремний Набок, Алексей Васильевич
- Альтернативное название:
- Charge Transfer and Capture Processes in the Electrolyte-Silicon Nitride-Oxide-Silicon System Nabok, Alexey Vasilievich
- Краткое описание:
- Набок, Алексей Васильевич.
Процессы переноса и захвата заряда в системе электролит-нитрид кремния-окисел-кремний : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10. - Киев, 1984. - 185 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Набок, Алексей Васильевич
ВВЕДЕНИЕ.
Глава I. ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ В СИСТЕМЕ ЭЛЕКТРОЛИТ
НИТРИД - ОКИСЕЛ - ПОЛУПРОВОДНИК . II
1.1 Особенности физических процессов в системе электролит - диэлектрик - полупроводник /обзор литературы/ .►. II
1.2 Исследование поляризационных характеристик системы ЭНОП
1.3 Исследование ЭНОП систем методом динамических вольт-амперных характеристик
Выводы к I главе
Глава II. ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОФИЛЯ ЗАХВАЧЕННОГО ЗАРЯДА В ДИЭЛЕКТРИКЕ ШОП И ЭНОП СИСТЕМ ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКИМ МЕТОДАМИ. • • • •• • • • • • • • ••• • • • • • •• • • * • •»<•>••>•.
2.1 Распределение захваченного заряда в диэлектрике ШОП структур /обзор литературы/ . 36.
2.2 Исследование профиля захваченного заряда в нитриде кремния емкостными методами в системе ЭНОП.46
2.3 Определение профиля захваченного в диэлектрике заряда методом измерения релаксационных токов в ЭДП системе /терия метода/
2.4 Изучение влияния различных технологических факторов на распределение заряда в диэлектрике
ШОП структур.
Выводы к главе II
Глава III. МАТЕМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ПЕРЕНОСА
И ЗАХВАТА ЗАРЯДА В ШОП И ЭНОП СТРУКТУРАХ.
3.1 Расчет профиля захваченного заряда в диэлектрике ШОП структур /обзор литературы/
3.2 Методика расчета профиля захваченного заряда в диэлектрике структуры Si-SiÖ2-Si5N
3.3 Расчет профиля захваченного заряда в диэлектрике структур ЭНОП и ШОП и определение параметров центров захвата в нитриде кремния
3.4 Моделирование характеристик накопления заряда в ШОП элементах памяти . III
Выводы к главе III
Глава 1У. ИССЛЕДОВАНИЕ ПРИРОДЫ ЦЕНТРОВ ЗАХВАТА ЗАРЯДА В
НИТРИДЕ КРЕМНИЯ.
4.1 Современные представления о природе центров захвата в нитриде кремния и деградационных изменениях их параметров /обзор литературы/
4.2 Исследование неоднородных диэлектрических покрытий, методом послойной эллипсометрии.
4.3 Исследование профиля показателя преломления и скорости травления пленок нитрида кремния методом послойной эллипсометрии
4.4 Исследования деградационных изменений параметров центров захвата в пленках нитрида кремния. 141 Выводы к главе 1У.
- Стоимость доставки:
- 650.00 руб