Процессы переноса и захвата заряда в системе электролит-нитрид кремния-окисел-кремний Набок, Алексей Васильевич




  • скачать файл:
  • Название:
  • Процессы переноса и захвата заряда в системе электролит-нитрид кремния-окисел-кремний Набок, Алексей Васильевич
  • Альтернативное название:
  • Charge Transfer and Capture Processes in the Electrolyte-Silicon Nitride-Oxide-Silicon System Nabok, Alexey Vasilievich
  • Кол-во страниц:
  • 183
  • ВУЗ:
  • Киев
  • Год защиты:
  • 1984
  • Краткое описание:
  • Набок, Алексей Васильевич.
    Процессы переноса и захвата заряда в системе электролит-нитрид кремния-окисел-кремний : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10. - Киев, 1984. - 185 с. : ил.
    Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Набок, Алексей Васильевич
    ВВЕДЕНИЕ.
    Глава I. ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ В СИСТЕМЕ ЭЛЕКТРОЛИТ
    НИТРИД - ОКИСЕЛ - ПОЛУПРОВОДНИК . II
    1.1 Особенности физических процессов в системе электролит - диэлектрик - полупроводник /обзор литературы/ .►. II
    1.2 Исследование поляризационных характеристик системы ЭНОП
    1.3 Исследование ЭНОП систем методом динамических вольт-амперных характеристик
    Выводы к I главе
    Глава II. ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОФИЛЯ ЗАХВАЧЕННОГО ЗАРЯДА В ДИЭЛЕКТРИКЕ ШОП И ЭНОП СИСТЕМ ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКИМ МЕТОДАМИ. • • • •• • • • • • • • ••• • • • • • •• • • * • •»<•>••>•.
    2.1 Распределение захваченного заряда в диэлектрике ШОП структур /обзор литературы/ . 36.
    2.2 Исследование профиля захваченного заряда в нитриде кремния емкостными методами в системе ЭНОП.46
    2.3 Определение профиля захваченного в диэлектрике заряда методом измерения релаксационных токов в ЭДП системе /терия метода/
    2.4 Изучение влияния различных технологических факторов на распределение заряда в диэлектрике
    ШОП структур.
    Выводы к главе II
    Глава III. МАТЕМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ПЕРЕНОСА
    И ЗАХВАТА ЗАРЯДА В ШОП И ЭНОП СТРУКТУРАХ.
    3.1 Расчет профиля захваченного заряда в диэлектрике ШОП структур /обзор литературы/
    3.2 Методика расчета профиля захваченного заряда в диэлектрике структуры Si-SiÖ2-Si5N
    3.3 Расчет профиля захваченного заряда в диэлектрике структур ЭНОП и ШОП и определение параметров центров захвата в нитриде кремния
    3.4 Моделирование характеристик накопления заряда в ШОП элементах памяти . III
    Выводы к главе III
    Глава 1У. ИССЛЕДОВАНИЕ ПРИРОДЫ ЦЕНТРОВ ЗАХВАТА ЗАРЯДА В
    НИТРИДЕ КРЕМНИЯ.
    4.1 Современные представления о природе центров захвата в нитриде кремния и деградационных изменениях их параметров /обзор литературы/
    4.2 Исследование неоднородных диэлектрических покрытий, методом послойной эллипсометрии.
    4.3 Исследование профиля показателя преломления и скорости травления пленок нитрида кремния методом послойной эллипсометрии
    4.4 Исследования деградационных изменений параметров центров захвата в пленках нитрида кремния. 141 Выводы к главе 1У.
  • Список литературы:
  • -
  • Стоимость доставки:
  • 650.00 руб


ПОИСК ДИССЕРТАЦИИ, АВТОРЕФЕРАТА ИЛИ СТАТЬИ


Доставка любой диссертации из России и Украины


ПОСЛЕДНИЕ СТАТЬИ И АВТОРЕФЕРАТЫ

ГБУР ЛЮСЯ ВОЛОДИМИРІВНА АДМІНІСТРАТИВНА ВІДПОВІДАЛЬНІСТЬ ЗА ПРАВОПОРУШЕННЯ У СФЕРІ ВИКОРИСТАННЯ ТА ОХОРОНИ ВОДНИХ РЕСУРСІВ УКРАЇНИ
МИШУНЕНКОВА ОЛЬГА ВЛАДИМИРОВНА Взаимосвязь теоретической и практической подготовки бакалавров по направлению «Туризм и рекреация» в Республике Польша»
Ржевский Валентин Сергеевич Комплексное применение низкочастотного переменного электростатического поля и широкополосной электромагнитной терапии в реабилитации больных с гнойно-воспалительными заболеваниями челюстно-лицевой области
Орехов Генрих Васильевич НАУЧНОЕ ОБОСНОВАНИЕ И ТЕХНИЧЕСКОЕ ИСПОЛЬЗОВАНИЕ ЭФФЕКТА ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ КОАКСИАЛЬНЫХ ЦИРКУЛЯЦИОННЫХ ТЕЧЕНИЙ
СОЛЯНИК Анатолий Иванович МЕТОДОЛОГИЯ И ПРИНЦИПЫ УПРАВЛЕНИЯ ПРОЦЕССАМИ САНАТОРНО-КУРОРТНОЙ РЕАБИЛИТАЦИИ НА ОСНОВЕ СИСТЕМЫ МЕНЕДЖМЕНТА КАЧЕСТВА