Пространственное распределение, накопление и отжиг дефектов в ионно-легированном кремнии Хельцер, Гисберт

Краткое описание

Хельцер, Гисберт.
Пространственное распределение, накопление и отжиг дефектов в ионно-легированном кремнии : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10. - Минск, 1984. - 187 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Хельцер, Гисберт
ВВЕДЕНИЕ
I. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ. СОСТОЯНИЕ ФИЗИКИ ДЕФЕКТОВ В
ИОШО-ЛЕГИРОВАННОМ КРЕМНИИ.
1.1. Дефекты структуры в кремнии после ионного легирования
1.1.1. Возникновение радиационных дефектов при ионном внедрении
1.1.2. Накопление дефектов и аморфизация
1.1.3. Пространственные распределения ионов и нарушений в кристалле.
1.2. Селективное изучение дефектов структуры в ионно-имплантированном кремнии методом фотолюминесценции.
1.3. Рентгенографические исследования деформации кристаллической решетки в результате имплантации и последующего отжига.
1.3.1. Топография.
1.3.2. Двух- и трехкристальная дифрактометрия.
1.3.3. Получение количественных характеристик имплантированного слоя.
1.4. Термический и лазерный отжиг ионно-имплантированных слоев.
1.4.1. Основные характеристики термического и лазерного отжигов.
1.4.2. Механизм лазерного отжига
1.4.3. Сравнение характерных результатов термического и лазерного отжигов.