Разработка физико-химических основ жидкофазной эпитаксии полупроводниковых нитридов Чан Хи Бинь, 0

Краткое описание

Чан Хи Бинь.
Разработка физико-химических основ жидкофазной эпитаксии полупроводниковых нитридов : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10. - Ленинград, 1985. - 143 с. : ил.
Оглавление диссертациикандидат физико-математических наук Чан Хи Бинь, 0
УСЛОВНЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ
ВВЕДЕНИЕ.
ГЛАВА I. ОСНОВНЫЕ СВОЙСТВА И МЕТОДЫ ПОЛУЧЕНИЯ БИНАРНЫХ
И ТРОЙНЫХ НИТРИДОВ ГРУППЫ А^5.
1.1. Электронное строение и физико-химические свойства бинарных нитридов Ш-б-группы.
1.2. Основные метода получения бинарных нитридов
А^В^ и твердых растворов на их основе.
1.3. Электрофизические, оптические, люминесцентные свойства полупроводниковых нитридов А^В^ и твердых растворов на их основе.
Выводы по главе I
ГЛАВА 2. АНАЛИЗ ФАЗОВЫХ РАВНОВЕСИЙ В ТРОЙНЫХ СИСТЕМАХ та - АС -/V , (та - 1п -/V и АС -1п - N И ВЫБОР РАСТВОРИТЕЛЕЙ ДЛЯ йаЦ
2.1. Анализ моделей, применяемых для расчета фазовых равновесий в системах А - В.
2.2. Расчет диаграмм состояния двойных ( АС - А/
Ы /V , 1П - /V ) И ТРОЙНЫХ ( (то - АС - /V , во - 1п - /V , М - 1п - N ) СИСТЕМ.
2.3. Выбор растворителей для эпитаксиального роста
6а N из жидкой фазы.
Выводы по главе 2.
ГЛАВА 3. ИССЛЕДОВАНИЕ ЯВЛЕНИЙ НА ГРАНИЦАХ РАЗДЕЛА ФАЗ
ПРИ ЖФЭ НИТРИДА ГАЛЛИЯ.
3.1. Анализ процессов на границе газ-жидкая фаза.
3.2. Контактные явления на границе расплав-подложка 88 Выводы по главе 3 . ТОО 3 ~ Стр.
ГЛАВА 4. РАЗРАБОТКА МЕТОДА ПОЛУЧЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ НИТРИДА ГАЛЛИЯ ИЗ ЖИДКОЙ ФАЗЫ И ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУЧЕННЫХ СЛОЕВ. IOI
4.1. Разработка метода получения эпитаксиальных слоев нитрида галлия из жидкой фазы.
4.2. Исследование кинетики процесса ЖФЭ нитрида галлия
4.3. Исследование характеристик слоев нитрида галлия, полученных методом ЖФЭ.
Выводы по главе ОСНОВНЫЕ НАУЧНЫЕ И ПРАКТИЧЕСКИЕ РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ.